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FinFET

一个三维晶体管。
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几十年来,集成电路产业在芯片设计将传统的平面晶体管,但这项技术的气体在20 nm逻辑节点。这是由于短沟道效应和其他因素。为了规避这些问题,该行业正朝着finFET晶体管。英特尔进入生产与finFETs 22 nm节点。在铸造厂加大finFETs 16 nm / 14 nm。

在finFETs,传统的2 d平面门被替换为一个硅鳍从硅衬底垂直上升。当前的控制是通过实现一个门的三方在每个fin-two两边,一个在顶部。FinFET晶体管,反过来,三面形成导电通道的翅片结构,提供一个完全耗尽的操作。这使芯片工作在低电压较低的泄漏。

一般来说,finFET可能两到四鳍在相同的结构。个人鳍鳍之间的间距。芯片制造商希望在每个节点规模的翅片间距0.7倍。光刻过程决定了翅片间距。

与此同时,每个鳍都有不同的宽度、高度和形状。鳍开发利用沉积、刻蚀等步骤。当然,门口也有不同的特点,即门长度。

在一个finFET生产流程,衬底最初经过各种蚀刻步骤,即spacer-based模式。在这个过程中,衬底spacer-like结构图案。这些结构之间,出掌老师垂直战壕到基板上,从而形成鳍。之后,空间充满了氧化物沉积过程。上面部分是抛光,然后设备经历了一个休会蚀刻步骤。最后,栅氧化层沉积,紧随其后的是门口的形成。

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