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相变存储器

以非晶态和晶体态储存信息的存储器。
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描述

一种以非晶态和晶体态储存信息的存储器。它可以与外部电压可逆切换。

相变存储器(PCM)被认为是一种在存储器层次结构中介于DRAM和NAND之间的存储级存储器。这类内存中最突出的是由Intel和Micron开发的3D XPoint,预计将用于服务器的内存中。3D XPoint器件采用两层堆叠架构,采用20nm几何结构,密度为128千兆比特。读延迟约125ns,耐久周期为200K。

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