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电平

标准相关的电子系统和组件
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描述

在早期的电子,当阀门仍普遍比晶体管,该行业需要一种方法来持续管数量。无线电制造商协会(后来成为电子工业协会)和国家电子制造商协会建立了联合电子管工程理事会(JETEC)执行这个函数。当半导体器件开始出现,需要一个类似的组织——联合电子设备工程理事会(电平)。从1958年早期,电平大大扩大了它的范围和已成为一个标准组织与一些引人注目的成就包括计算机内存要求,从动态随机存取存储器芯片和内存模块到DDR同步DRAM和闪存组件。在制造业领域,产生电平标准,出版物和教育事件解决迁移到无铅生产流程。
电平29日发布完整的标准,2011年,3出版物,9日注册了,3设计指南,11内存设备规格,和6设计文件,包括以下:
JESD220,普遍的闪存
JESD84-B45、嵌入式多媒体卡(e•MMC),电气标准(4.5设备)
JESD79-3 JESD79-3-2,附录2号
微电子JESD9B检验标准包和封面
JESD216串行Flash发现参数(SFDP)系列和闪光
JS709、关节电平/ ECA标准,定义Low-Halogen被动者和固态设备(除BFR / CFR / PVC)
js - 001 - 2011,关节ANSI / ESDA电平标准电子放电敏感性测试——的人体模型(HBM)组件级别
JEP144A,指导内部气体分析微电子包
mo - 303 a,登记——土地阵列家庭,长方形,0.50毫米
SPD4_01_02_11释放21号社民党附件K -串行存在检测(SPD)的DDR3 SDRAM模块

2012年,电平发表19完成标准,3出版物,4共同标准,17日注册了,2设计注册,和6内存设备规格,包括以下:
JESD79-4 DDR4 SDRAM标准型
JESD229,宽阔的I / O数据速率
JESD51-x系列(-50、-51、-52和-53年),第一个国际led热测试标准
JESD209-3的、低功率双数据率3 SDRAM (LPDDR3)
JESD230 NAND Flash界面互操作性
电平还发表了以下显著之前更新现有标准:
JESD84-B451、嵌入式多媒体卡(e•MMC),电气标准(4.51)
1.1 JESD220A,环球闪存(UFS)
JESD219A,固态硬盘(SSD)耐力的工作负载
j - std - 033 c,联合IPC /电平标准处理、包装、运输和使用的水分/回流敏感表面装配设备

电平20完整出版标准,2013年5出版物、2共同标准,15注册概述,2设计注册,和8个内存设备规格,包括以下:

JESD220-1普遍闪存(UFS)、统一内存扩展
JESD223-1普遍Flash存储主机控制器接口(UFSHCI),统一内存扩展
JESD224普遍闪存(UFS)测试
JESD226,射频偏置的生活(RFBL)测试
JESD234、测试标准测量质子辐射单一事件影响电子设备

电平还发表了以下显著之前更新现有标准:

JESD84-B50、嵌入式多媒体卡(e•MMC),电气标准(MMCA 5.0)
JESD88E,字典的固态技术术语
JESD212B、图形双倍数据率(GDDR5) SGRAM标准
2.0 JESD220B,环球闪存(UFS)
JESD223B普遍Flash存储主机控制器接口(UFSHCI)
JESD230A NAND Flash界面互操作性

  • 总部:美国弗吉尼亚州阿灵顿
  • 已知:标准、DDR LPDDR宽IO,内存接口
  • 网络:URL
  • 其他名称:联合电子设备工程委员会
  • 类型:标准组

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