中文 英语
知识中心
导航
知识中心

自旋轨道转矩MRAM (SOT-MRAM)

一种MRAM,它的写和读路径是分开的。
受欢迎程度

描述

自旋轨道转矩MRAM (SOT-MRAM)是一种非易失性磁阻的内存它有两条路径,一条用于写,一条用于读。

SOT-MRAM器件由磁隧道结(MTJ)组成,在磁固定层和磁自由层之间有一层薄介电层。写入是通过切换自由磁层的磁化来完成的,这是通过在相邻的SOT层中注入平面内电流来完成的,SOT层通常由重金属制成。

由于SOT-MRAM中的写入电流平行于或穿过各层,因此可以将电流设置为任意高(在合理范围内),而不用担心磨损。基于这个原因,SOT-MRAM单元预计比STT单元有更快的写入时间。(在自旋转矩MRAM或STT-MRAM中,电流通过MTJ。)


STT MRAM(左)使用通过MTJ的电流来写入状态。SOT MRAM(右)使用与堆栈中各层并行的电流来写入状态。资料来源:Bryon Moyer/Semiconductor Engineering

读电流可以通过MTJ。然而,如果读电流太高,它就开始像写电流一样,并可能改变位的状态值,因此不期望在STT上提高读速度。

虽然仍在开发中,SOT-MRAM已被提议作为L1/L2缓存SRAM的替代品,这得益于其高续航能力和sub-ns的切换速度。

Baidu