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铁电场效应晶体管(FeFET)

铁电场效应晶体管是一种新型的内存。
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描述

铁电场效应晶体管是一种新的内存类型,但这种技术也可用于逻辑。

FeFET本质上是一个逻辑晶体管能够维持其逻辑状态即使力量。一般来说,你取代传统逻辑闸极介电层与铁电材料、介质,记得的电场被暴露。

FeFETs,形成一个永久偶极子在闸极介电层本身,把铁电晶体管的阈值电压分解为两个稳定状态。因此,二进制状态可以存储在FeFETs类似于它是如何在闪存单元完成。

FeFETs存在HKMG技术设备套件只需要很少的面具,eNVM能力比eFlash添加以低得多的成本。所需的电压开关FeFETs从一个国家到另一个在3至5伏的范围,使技术可伸缩和减少高压电荷泵的必要性。作为开关仅仅是一个字段程序较低电压驱动的影响,理论上eNVM要求最低功率可能写操作。


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