PMOS中的衬底偏置使晶体管主体偏置到高于V的电压dd；在NMOS中，到比V低的电压党卫军．
因为漏电流是器件V的函数th，衬底偏置，也称为回偏置-可降低漏电功率。使用这种先进的技术，衬底或适当的井是偏置的，以提高晶体管阈值，从而减少泄漏。在PMOS中，晶体管体偏置到高于V的电压dd．在NMOS中，晶体管体的偏置电压低于V党卫军．
自从升了Vth还影响性能，一种先进的技术允许动态应用偏压，因此在活动模式下，反向偏压很小，而在待机状态下，反向偏压更强。
产生区域和路由惩罚。标准单元库中需要一个额外的引脚，并且需要特殊的库单元。在整个设计中放置体偏置单元，为晶体管体块提供电压。为了产生偏置电压，需要一个基片偏置发生器，这也消耗了一些动态功率，部分抵消了减少的泄漏。
在先进技术的小型工艺中，衬底偏压回报正在减少。在65nm及以下，体偏效应减小，降低了泄漏控制效果。台积电已发布的信息指出，在90nm的因素4Ã -减少，只有2Ã -转移到65nm。因此，预计衬底偏压将被功率门控所掩盖。
对于单孔技术，PMOS的大部分连接到n孔，NMOS的大部分连接到p基板。对于双井技术，NMOS的大部分连接到p型井。
根据库的不同，可以对PMOS、NMOS或两者进行衬底偏置。为了使标准电池的大部分NMOS和PMOS偏置，电压由电荷泵产生，这是输出VDDbias和VSSbias电压的自定义块。
这些电荷泵是pll大小的自定义宏，提供VDDbias和VSSbias。然后，这些电压需要分布在利用衬底偏压的芯片部件上。将偏置电压分配到标准电池有两种方法:
1)使用well-tap cell (body-bias cell)
2)单元内开关，每个标准单元都有VDDbias和VSSbias引脚，然后分别将这些引脚敲击到n阱和p sub
Well-tap或body-bias细胞分别将VDDbias和VSSbias引向n-well和p-sub。理论上，每个标准单元行必须至少有一个井接单元。在现实中，每个标准单元行都需要多个体偏或井接单元来防止锁存。设计师通常有一个规则，每隔一定距离，在一个标准单元格行中放置一个点击单元格。
增加井接单元实际上节省了面积，因为与下面列出的第二种方法相比，唯一增加的面积是井接单元(比平均1倍逆变器小)。
一个典型的体偏细胞看起来与正常的无偏细胞相似，除了两个不同之处:n-well被敲击到VDDbias而不是Vdd, p-sub被敲击到VSSbias而不是V党卫军．将该单元格放置在每个标准单元格行的多个点上，将会使该行的n-well和p-sub分别达到VDDbias和VSSbias。
单元内轻敲意味着每个标准单元都有VDDbias和VSSbias引脚，然后将这些引脚分别轻敲到n阱和p sub上。额外的引脚用于将每个标准单元中的VDDbias和/或VSSbias分别连接到n阱和p基板。
这种方法为n-阱和p-sub提供了一致的偏置电压水平，但使用更多的面积，因为每个标准单元都必须为偏置电压引脚以及分接区域预留区域。它还占用了大量的路由资源，因为需要将每个VDDbias和VSSbias引脚路由到偏置电压源。
一个采用VDDbias和VSSbias引脚的标准单元如下所示。在这里，不需要单独的体偏单元，因为对n阱和p-sub的开关嵌入在标准单元中。每个标准电池都有一个额外的VDDbias和VSSbias引脚，连接到金属形状上。然后敲击金属形状到n井和p sub。
选择利用衬底偏置的设计人员可能会遇到两个潜在的问题，涉及p衬底分离和偏置电压分布。
对于单井技术，整个芯片都是硅是p-substrate。也就是说，除了芯片中被制成n孔的部分，整个芯片芯片本质上就是p-sub。这意味着如果设计者选择偏置p基板，那么芯片的整个基板都会偏置。这很少是可取的，因为通常芯片的某些部分(例如，任何模拟块)不应该有偏差。
这对于n阱偏置来说不是问题，因为芯片的n阱很容易分离。
对于具有p井和n井的双井技术来说，这也不是问题。因此，p阱可以与芯片的其余部分分离，就像n阱一样。
无论采用哪种偏置电压分配方法，偏置电压网(VDDbias和VSSbias)仍然必须从电荷泵路由到井接头单元或标准单元。目前大多数EDA工具都没有用于衬底偏压的特殊功能。因此，设计人员在布线偏置电压配电网时可能会遇到问题。
更重要的是，这些分布网络占用了大量的路由资源，可能会对设计的可路由性产生不利影响。
基片偏置的另一种选择是扩散偏置，它绕过了基片分离问题。在这种技术中，晶体管的扩散是偏置的，而不是体积。
请注意，随着工艺的缩小，预计基板偏压将被电源关闭所掩盖。这是因为基片偏置的节能回报随着较小的工艺而减少，因此使得PSO成为更有吸引力的选择。
在设计示例中，衬底偏压显示泄漏功率降低了10倍。它可能导致10%的时间损失和小于10%的面积损失。对实施的影响可能很大。
页面内容最初由Cadence设计系统
以平面或堆叠形式排列的多个芯片，具有用于通信的中间装置。
2.5D和3D形式的整合
一种存储器结构，其中存储器单元是垂直设计的，而不是使用传统的浮动门。
源极和漏极加作栅极鳍片的晶体管。
下一代无线技术，具有更高的数据传输速率，低延迟，并能够支持更多的设备。
我们开始与原理图和ESL结束
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常用和不常用的首字母缩略词。
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在较新的节点上，填充需要更多的智能，因为它会影响时间、信号完整性，并且需要对所有层进行填充。
将芯片组合成封装的一系列方法，从而降低功耗和成本。
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添加处理器时的理论加速总是受到不能从改进中受益的任务部分的限制。
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也被称为蓝牙4.0，是低能耗应用的短程无线协议的扩展。
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试验台与被测设备之间的接口模型
C、c++有时被用于集成电路的设计，因为它们提供了更高的抽象。
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博世开发的汽车总线
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使CDC接口可预测
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一个与研发机构和晶圆厂合作的实验室，参与下一代设备、封装和材料的早期分析工作。
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设计是从概念形式产生实现的过程
电子系统集成电路的设计、验证、实施和测试。
交换3D集成电路的热设计信息
跨边界异步通信
通过门控时钟动态降低功率
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制造工艺
钴是制造锂离子电池的关键铁磁性金属。
与功能验证中执行的代码数量相关的度量
验证转换后寄存器之间的功能保持不变
芯片上、芯片之间和设备之间的管道，用于发送数据位并管理数据。
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加密处理器是在硬件中执行加密算法的专用处理器。
提供IP或IP服务的公司
在集成电路中，当芯片的某个部分不使用时，将其关闭，从而节省电力的一种方法。
数据分析使用AI和ML来发现数据中的模式，以改进EDA和半制造的流程。
在系统中实现芯片之前和之后，如何对半导体进行分类和测试。
数据中心是一个物理建筑或房间，里面有多个服务器和cpu，用于远程数据存储和处理。
数据处理是指通过计算机或服务器对原始数据应用操作数，将数据处理为另一种可用形式。这个定义类别包括数据处理的方式和位置。
标准:由于广泛接受或采用而产生的标准
从设计中去除bug
深度学习是人工智能的一个子集，其中数据表示基于矩阵的多层。
据观察，随着功能的缩小，功耗也会降低。
在IC开发的物理设计阶段所采取的行动，以确保设计可以准确地制造出来。
降低与测试集成电路相关的难度和成本的技术。
对物品的装饰性设计的保护
确定芯片是否满足半导体制造商定义的规则的物理设计过程
使用模式匹配技术定位设计规则。
设备中的噪声源
插入时钟门控的测试逻辑
宽带隙合成材料。
数字IP的分类
允许以数字方式保存图像
数字信号处理器是为处理信号而优化的处理器。
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一种互补的光刻技术。
DNA分析是基于独特的DNA测序。
用脱氧核糖核酸制造防黑客芯片。
一种使用多次激光的制模技术。
彩色和无色流双图案
需要刷新的单晶体管存储器
动态调节电压和频率，降低功率
硬件验证语言
一种寻找较小缺陷的较慢方法。
使用单束电子束工具的光刻
IC布局的预期特征和打印特征之间的差异。
电迁移(EM)由于功率密度
电子设计自动化(EDA)是一个将与电子系统制造相关的工具、方法和流程商业化的行业。
用于设计和验证的抽象级别高于RTL
静电荷的转移。
eFPGA是集成到ASIC或SoC中的IP核，可提供可编程逻辑的灵活性，而无需fpga的成本。
用于逻辑验证的特殊用途硬件
从环境中获取能量
环境引起的噪声
一种在衬底上生长或沉积单晶薄膜的方法。
可编程只读存储器，可大量擦除。
基于e语言的重用方法
检测和纠正错误的方法。
以太网是一种可靠的、开放的通过电线连接设备的标准。
EUV光刻是一种软x射线技术。
找出半导体设计和制造中出现的问题。
在封装中包含更多通常在印刷电路板上的功能的一种方法。
在存在制造缺陷的情况下对设计进行评估
最低功率的小型电池，用于家庭WiFi网络。
铁电场效应晶体管是一种新型存储器。
可编程逻辑器件
使用金属填充来改善平整度，并管理电化学沉积(ECD)，蚀刻，光刻，应力效应和快速热退火。
三维晶体管。
非易失性，可擦除的存储器
柔性基板上的集成电路
一种汽车通信协议制造技术
与电阻波动有关的噪声
一种使用焊锡球或微凸点的互连。
集成了fet和pet的晶体管类型。
形式验证包括数学证明，以表明设计符合某种特性
与大块CMOS相比，FD-SOI是一种电流泄漏更小的半导体衬底材料。
覆盖度量用于指示验证功能的进展
功能设计和验证目前与RTL合成之前执行的所有设计和验证功能相关。
功能验证用于确定设计或设计单元是否符合其规范。
一种统计方法，通过测量测试过程中重复性和再现性的变化来确定测试系统是否可以生产。
GaN是一种具有宽带隙的III-V型材料。
一种可能替代finfet的晶体管设计。
在门级可用的功率降低技术。
与生成-重组相关的噪声
可以生成新数据的神经网络框架。
德国以其汽车工业和工业机械而闻名。
六方晶格中碳的二维形式。
一种用于处理图形和视频的电子电路。
在设计中添加额外的电路或软件，以确保如果一个部分不能工作，整个系统也不会故障。
完整设计的硬件IP块
使用特殊用途的硬件以加速验证
在仿真过程中使用真实芯片的历史解决方案
通过使用单一语言描述硬件和软件来优化设计。
功率产生热量，热量影响功率
一种密集、堆叠的内存版本，具有高速接口，可用于高级封装。
将未定时的行为描述转换为RTL的综合技术
为HSA硬件定义一组功能和特性
HSAIL虚拟ISA和编程模型、编译器编写器和对象格式(BRIG)
HSA体系结构的运行时功能
将公共云服务与私有云(如公司内部企业服务器或数据中心)的使用结合起来。
由公司拥有的数据中心设施，通过该数据中心提供云服务。
集成电路有哪些类型?
硬件描述语言
VHDL的模拟扩展
VHDL 1076.1包的集合
在VHDL中宏细胞建模
边界扫描测验
IEEE批准的Verilog版本
Verilog寄存器转移级合成标准
扩展到1149.1用于复杂的设备编程
功能验证语言
SystemC
片上系统中IP集成标准
IEEE半导体器件内嵌入式仪器的存取和控制标准
IEEE批准的SystemVerilog版本
通用验证方法
IEEE低功耗集成电路设计与验证标准，也被称为统一功率格式(UPF)
三维堆叠集成电路测试接入体系结构标准
基于行为形式化规范的验证语言
IEEE 802.1是高级局域网协议的标准和工作组。
IEEE 802.11工作组管理无线局域网(LANs)标准。
IEEE 802.15是用于物联网、可穿戴设备和自动驾驶汽车的无线专用网络(WSN)工作组。
“RR-TAG”是一个技术咨询小组，支持IEEE标准小组在802.11、802.12、802.16、802.20、802.21和802.22方面的工作。
标准之间的共存无线标准的未经许可的设备。
利用认知无线电技术实现宽带无线接入，并在空白区域共享频谱。
IEEE 802.3-以太网工作组负责管理IEEE 802.3-以太网标准。
能源比例电子系统统一硬件抽象和层标准
启用系统级分析的电源建模标准
工业环境中物联网的特定要求和特殊考虑。
跨节点晶圆成本
用于物理实现的电源优化技术
直接在内存结构中执行函数。
通道内的热噪声
计算机必须支持的一组基本操作。
igbt是mosfet和双极晶体管的组合。
将多个器件集成到一块半导体上
设计、制造和销售集成电路(ic)的半导体公司。
一种预先包装并可用于许可的设计或验证单元。
可以分析运行状况并实时重新配置的网络。
确定一项专利的一个或多个权利要求的有效性的方法
集成电路中各元件之间的总线、noc和其他形式的连接。
物联网也被称为万物互联(IoE)，是一个全球性的应用程序，其中设备可以连接到许多其他设备，每个设备要么提供来自传感器的数据，要么包含可以控制某些功能的执行器。数据可以在云中大量合并和处理。
用于2.5D电信号的快速、低功耗模间导管。
寻找用于掩模的理想形状。
半导体制造过程中关键掺杂剂的注入。
片上系统中IP集成标准
电流通过电阻器时的电压降。
ISO 26262中的术语
有关汽车内电气和电子系统安全的标准
确保汽车态势感知系统正常运行的标准。
汽车网络安全标准(正在制定中)。
电脑的能源效率大约每18个月翻一番。
使用语言来创建模型
理论一直很有影响力，通常被称为“定律”，并在贸易出版物、研究文献和会议报告中作为“真理”进行讨论，最终是有局限性的。
布局图和原理图之间的设备和连接性比较
用于跨电压岛匹配电压的电池
用脉冲激光测量物体的距离。
低成本汽车总线
特征边与理想形状的偏差。
移除不可移植或可疑的代码
乐乐是双重图案的一种形式
一种双重图案。
光:用于将图案从掩模板转移到基板上的光
系数与光刻工艺的难度有关
正确调整逻辑元素的大小
调整减功率逻辑
模拟器是用于执行硬件模型的软件进程
用于减少电力消耗的方法。
电源电路验证
低功率差分串行通信协议电气特性的技术标准。
一种对机器进行训练，使其倾向于基本行为和结果，而不是明确地编程来执行某些任务的方法。这将导致硬件和软件的优化，以实现可预测的结果范围。
使用磁性存储数据
观察与电子产品中定制和标准内容的数量有关。
追踪晶圆厂的晶圆。
制造业噪声源
半导体材料可以构成电子电路。
一种半导体器件，能够在规定的时间内保留状态信息。
使用多个内存组来降低功耗
微机电系统是电气和机械工程的融合，通常用于传感器和先进的麦克风，甚至扬声器。
LED生产的关键工具。
含金属纳米结构或巨原子阵列的人造材料。
锁存器内的不稳定状态
观察到网络价值与用户的平方成正比
描述创建产品的过程
计量学是测量和表征微小结构和材料的科学。
一种处理器类型，传统上是一个缩小的、一体化的嵌入式处理器、内存和I/O，用于非常特定的操作。
第一次把中央处理器放在一块硅片上的集成电路。
模拟与数字的融合。
模型是设备的抽象
一种中档包装选择，提供比扇出更低的密度。
一种将晶体管堆叠在单个芯片而不是封装中的方法。
戈登·摩尔对半导体生长的观察。
微粒是一种微型传感器。
电子束光刻的一种先进形式
将多个函数捆绑到单个包中的早期方法。
越来越多的弯角使分析变得复杂。并行分析是有希望的。
使用一个测试器同时测试多个模具。
多阈值电压装置的使用
当一个信号通过不同的路径接收并随着时间的推移而分散。
一种在20nm及以下成像IC设计的方法。
一种由薄原子层中的二维无机化合物构成的耐用导电材料。
一种热压印工艺类型的光刻。
一种场效应晶体管，使用比横向纳米线更宽更粗的线。
通过计算低于最低工作电压来优化功率。
移动计算更接近内存以降低访问成本。
NBTI是阈值电压随外加应力的位移。
一种模拟人脑从物理世界收集数据的方法。
以人脑为模型的计算体系结构。
半导体制造中的节点是指节点生产线可以在集成电路上创造的特征，如互连间距、晶体管密度、晶体管类型等新技术。
信号中电压或电流的随机波动。
PROM (Programmable Read Only Memory)和OTP (One-Time-Programmable Memory)可以写入一次。
OSI模型描述了网络中主要的数据传递。
由URM和AVM创建的验证方法
禁用未启用的数据路径计算
在晶圆片上发现缺陷的方法。
一种通过修改掩模图案来改善晶圆印刷适印性的方法。
购买原材料(包括电子产品和芯片)来制造产品的公司。
执行IC封装和测试的公司-通常被称为OSAT
平版印刷扫描仪在彼此的顶部精确地对齐和打印各种层的能力。
半导体是如何组装和包装的。
一种高速信号编码技术。
单次测量的离群值检测，是汽车电子的一项要求。
专利是授予发明者的知识产权
一种防止掩模被污染的薄膜。
以非晶态和晶体态储存信息的存储器。
要印在晶圆片上的东西的模板。
用于在基材上形成图案的感光材料。
芯片的设计和实现，将物理位置，路由和工件考虑在内。
PVD是一种涉及高温真空蒸发和溅射的沉积方法。
确保设计布局符合预期。
一组可以内置到芯片中但不能克隆的独特功能。
一种功率比母蜂窝稍高的小电池。
降低逻辑上的容性负载
算法采用ATPG
硬件验证语言(Hardware Verification Language, PSS)是由Accellera定义的，用于半导体设计中建模验证意图。
功耗组成
电源域关闭和启动
与权力相关的术语定义
在设备周围移动电源。
电力消耗是如何估计的
通过关闭部分设计来降低功率
当电池主电源关闭时，用来保持电池状态的特殊触发器或锁存器。
在动力岛周围增加隔离单元
架构级的功耗降低
确保电源控制电路得到充分验证
一种在电子设备或模块中管理电源的集成电路，包括任何有电池可充电的设备。
一种用于控制和转换电力的功率半导体。
功率IC在高压电源应用中用作开关或整流器。
通过输电网传输的噪声
控制电源关闭
在设计中分析和优化功率的技术
低功率电路的测试注意事项
半导体设计在功率、性能和面积方面做出了基本的权衡。
印刷电路板的设计、验证、装配和测试
数据中心和IT基础设施，用于公司拥有或订阅的仅供该公司使用的数据存储和计算。
流程级的功率优化技术
半导体制造过程中的可变性
度量处理器核心被积极使用的时间量。
进行逻辑和数学处理的集成电路或集成电路的一部分。
基于行为形式化规范的验证语言
数据存储和计算在数据中心完成，通过云服务提供商提供的服务，并在公共互联网上访问。
一种使用量子位处理数据的不同方式。
射频SOI是硅绝缘体(SOI)技术的射频版本。
载流子的随机捕获
快速加热晶圆的过程。
用于电子设备的关键金属。
只读存储器(ROM)只能读，不能写。
一种利用存储在存储器中的其他数据来发现数据模式的人工神经网络。
铜金属连接件将包装的一部分电连接到另一部分。
设计验证，有助于确保设计的稳健性，并减少过早或灾难性电气故障的易感性。
用于制造reram的材料
利用电阻迟滞的存储器
与掩模同义。
旨在减轻测试工程师和测试操作负担的测试数据标准。
一种用于低成本集成电路设计的开源ISA。
安全功能的可信环境。
定义设计的数字部分的抽象
优化寄存器传输级的功耗
在进入RTL阶段之前必须满足的一系列需求
基于Vera的验证方法
用来解决问题的算法
额外的逻辑连接寄存器到移位寄存器或扫描链，以提高测试效率。
在测试台上存储刺激的机制
SystemC的测试平台支持
双重图案的一种形式。
与半导体制造有关的科目
保证数据安全的方法和技术。
组合来自多种传感器类型的输入。
传感器是我们生活的模拟世界和底层通信基础设施之间的桥梁。
一种通过高速连接将信号从一块芯片上的收发器发送到另一块芯片上的接收器的传输系统。收发器将并行数据转换为串行数据流，串行数据流在接收端重新转换为并行数据流。
在半导体开发流程中，曾经按顺序执行的任务现在必须同时执行。
将测试条件参数扫过一个范围，并获得结果图。
当信道长度与源极和漏极的耗尽层宽度具有相同的数量级时，它们会导致许多影响设计的问题。
量化噪声
通过使用不同的访问方法分析信息，对设备及其内容进行的一类攻击。
一种用于功率晶体管的fet和mosfet的宽带隙技术。
将光子器件集成到硅中
仿真器用于硬件模型的仿真
用于加速仿真过程的特殊用途硬件。
地电压扰动
单晶体管DRAM
无线电池填补了无线基础设施的空白。
可合成的IP块
利用嵌入式处理器的验证方法
定义对软件设计有用的体系结构描述
电路模拟器首次开发于70年代
一种试图更精确地模拟大脑的神经网络。
一种MRAM，它的写和读路径是分开的。
一种无线传输数据的安全方法。
被认为是实现某种标准所必需的专利。
半导体测试信息最常用的数据格式。
标准在任何行业都很重要。
SRAM是一种不需要刷新的易失性存储器
对输入进行约束，引导随机生成过程
在EUV光刻过程中导致芯片缺陷的随机变量。
一种先进的MRAM
基片偏置的使用
通过基板的耦合。
网络交换机在网络内部路由数据包流量。
具有更快传输的DRAM类型
一种将多个ic捆绑在一起作为单个芯片工作的方法。
片上系统(SoC)是在单个基板上实现电子系统所必需的功能的集成，并且包含至少一个处理器
一个建立在c++语言之上的类库，用于硬件建模
SystemC的模拟和混合信号扩展
行业标准设计和验证语言
谷歌为机器学习设计的ASIC处理单元，与TensorFlow生态系统协同工作。
用于功能验证设计的软件
与热有关的噪音
硅通孔是一种将各种模具连接在堆叠模具配置中的技术。
模拟和数字集成电路的基本构件。
减少切换时间
在10nm及以下需要的多图案技术。
一种正在开发的晶体管，可以在未来的工艺技术中取代finfet。
自动驾驶汽车安全分析与评价标准。
统一覆盖互操作性标准(UCIS)提供了一个应用程序编程接口(API)，允许跨软件模拟器、硬件加速器、符号模拟、正式工具或自定义验证工具共享覆盖数据。
统一功率格式(UPF)
验证方法
eRM的SystemVerilog版本
用户界面是人类用来与电子设备进行通信的管道。
保护发明的专利
硬件验证语言
用于验证的一组预先打包的代码。
一种验证集成电路设计的标准化方法。
定义将要执行的功能验证的文档
硬件描述1984年开始使用的语言
对Verilog对象的过程性访问
Verilog的模拟扩展
硬件描述语言
实现早期软件执行的硬件系统的抽象模型。
由Synopsys构建的验证方法
使用语音/语音对设备进行命令和控制。
当电源被切断时，存储器就会失去存储能力。
使用多个电压进行功率降低
今天大多数计算的基本架构，基于数据需要在处理器和内存之间来回移动的原则。
生产完成后对晶圆上的模具进行验证和测试。
在硅片上发现缺陷的科学。
三维存储接口标准
有线通信，在设备之间通过电线传递数据，仍然被认为是最稳定的通信形式。
一种不用电线就能移动数据的方法。
集成电路互连架构
X传播导致问题
一个数据驱动的系统，用于监控和提高集成电路产量和可靠性。
由研究人员或攻击者发现的产品硬件或软件中的漏洞，生产公司不知道，因此还没有修复。
