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线边缘粗糙度(l)

从理想的形状偏差的特性优势。
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描述

线边缘粗糙度或l,被定义为一个偏离理想形状的功能优势。

半导体特性不光滑。l描述的数量变化的边缘特性,根据Fractilia, l的启动开发测量技术。在10纳米,下面,l可以成为大大小的芯片上的特性。这反过来影响晶体管的性能和产量。

另一个问题是,每个节点的特征尺寸变小,但l不规模。随着线边缘粗糙度大宽度相对于功能,它限制了可以实现有效的决议。

l多年来一直是个问题,但是它变得更加有问题的芯片制造商开始使用极端紫外线(EUV)光刻技术在集成电路生产。EUV,下一代光刻技术,包括使用13.5纳米波长扫描打印好晶片功能。

的EUV扫描仪,光子击中抵制并且产生反应。但随着EUV,可能会有一个新的和不同的反应在每一个事件或多个事件。所以EUV容易事件涉及推断统计学或随机变化芯片。

l只是其中的一个变化。EUV推断统计学可以造成不必要的l模式。

EUV抵制本身涉及到一个复杂的过程。光子吸收的抵抗只是引发一系列事件导致去。特别是在EUV抗拒,吸收光子电离一个单体,引发一连串的二次电子排放,反过来,触发photoacid代。photoacid分子的扩散距离定义了“去模糊。”

其他一些影响会导致线边缘粗糙度,与散粒噪声的一个重要贡献者。散粒噪声是由随机分布的光子光源。例如,假设EUV光源击中抵抗连续三和单独的事件。在一个简单的例子,一个抗拒的目标是吸收同等数量的光子在每个事件。

在第一个事件,抵制吸收10光子。然后它吸收9下次,11。变化从一个活动到下一个现象叫做光子散粒噪声。

临界尺寸扫描电子显微镜(CD-SEM)是最常见的一个工具用来测量l。然而,信噪比CD-SEM可以成为一个问题。

其他类型的模式粗糙度包括线宽粗糙度(轻水反应堆)和模式位置粗糙度(PPR)。

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