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碳化硅(SiC)

一种用于功率晶体管的fet和mosfet的宽带隙技术。
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描述

基于硅和碳,碳化硅是一种化合物半导体用于led和电力电子设备。SiC有一个能带3.3 eV。硅的带隙为1.1 eV。宽带隙是指器件中高压电子带隙大于1ev。

今天,碳化硅二极管被用于服务器和电信系统的高端电源,但碳化硅mosfet仍处于市场渗透的早期阶段。与功率mosfet相比,SiC具有10倍的击穿场和3倍的热导率。

SiC fet的目标是600伏到10千伏的应用。

但SiC也存在晶圆成本高和有效通道流动性低的问题。为了解决一些问题,供应商希望通过改用更大的晶圆来降低成本。今天,基于sic的led是在150mm的晶圆上制造的。基于sic的fet使用100mm衬底。

SiC mosfet是垂直器件。通道结构也有不同的配置,包括沟槽和平面。Planar倾向于更简单。沟槽基SiC mosfet具有较低的电导率损失。但是沟槽容易受到栅极氧化物击穿的影响,促使一些人设计出双沟槽SiC mosfet。

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