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低功耗方法

用于减少电力消耗的方法。
受欢迎程度

描述

功率已成为许多低于40nm的设计的门控因素,在各种前沿,从泄漏电流在28nm和20nm,再到7nm;基于finfet的16/14nm动态功率密度;以及由功率引起的热效应。除此之外,还有相关的问题,如电迁移和静电放电。
有许多处理权力的方法得到了人们的青睐。一种是完全更换材料,用完全耗尽的SOI取代大块CMOS。另一种方法是在最先进的节点(7nm及以下)替换过孔中的材料,以解决电子在细导线中移动时的电阻和电容问题,也称为RC延迟。

其他技术也被添加进来,比如FD-SOI中的正向和反向偏置,近阈值计算,即任何类型的处理器在设备完全上电之前执行一些计算功能。

还有一些技术可以降低整个系统的功耗,使逻辑元素大部分时间处于“关闭”状态;为某些功能设置单独的电源轨道,这样整个芯片就不必打开;甚至降低了以某种同步方式工作的多个计算元素(如神经网络)的计算精度。

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