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闪烁噪声

与电阻波动有关的噪声
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描述

闪烁噪声的起源是不确定的,但产生于电流携带电阻(或任何其他电子元件)的电阻波动和均方噪声电压由于1/f噪声,并由2=基于“增大化现实”技术22Δf/f,其中A是一个无量纲常数(10-11年对于碳),R是电阻,I是电流,Î " f是探测器的带宽,f是探测器调谐到的频率。

该值取决于材料,设计,接触的性质等。因此,有可能修改制造工艺,以尽量减少闪烁噪声。

铸造厂一直在努力完善制造技术,例如与表面制备和清洁相关的技术,以获得更高的表面质量,从而降低闪烁噪声。抑制闪烁噪声的设计技术包括斩波、相关双采样、开关偏置等。开关偏置技术在强反转和累积之间有效地循环MOS晶体管,以类似于偏置温度不稳定(BTI)效应的恢复现象的方式导致更低的闪烁噪声。

闪烁噪声的导数为1/f2可以在芯片的金属互连中观察到。对于非常窄的连接,由于高电流密度,有可能发生电迁移,这一点变得更加明显。在铝中,电迁移开始于电流密度为200 μA/μm2

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