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BSIM

晶体管模型
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描述

SPICE需要组件的模型。为了在商业应用中传播和标准化这些模型,加州大学伯克利分校的电气工程和计算机科学系成立了一个小组来开发这些模型。

1983年,胡晨明博士加入了BSIM3。BSIM3是一种基于物理的,精确的,可扩展的,强大的和可预测的MOSFET SPICE模型,用于电路仿真和CMOS技术开发。

虽然这些模型是在加州大学伯克利分校开发的,但它们的商业支持由CMC提供。

2015年2月19日消息——硅集成倡议组织(Si2)紧凑型模型联盟(CMC)宣布为完全耗尽绝缘体上硅(FDSOI) mosfet增加两个新的SPICE模型标准。这两种新型FDSOI紧凑型型号分别称为BSIM独立多栅极(BSIM- img)和hsim薄埋氧化物硅(HiSIM- sotb)型号。


集成电路仿真中的BSIM4和MOSFET建模(固态电子与技术高级国际系列)

MOSFET建模和BSIM3用户指南

用于SPICE仿真的MOSFET模型:包括BSIM3v3和BSIM4


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