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罗伯特·h·登纳德

DRAM的发明者
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描述

1968年,罗伯特·登纳德被公认为动态随机存取存储器的发明者。
登纳德是最早认识到晶体管缩放的潜力的人之一。1974年,他假设mosfet将继续作为电压控制开关,而所有的关键指标,如布局密度、工作速度和能源效率都有所提高,前提是几何尺寸、电压和掺杂浓度保持不变,以保持相同的电场。

Dennard持有Southern Methodist University(达拉斯)的电气工程学士和硕士学位,以及Carnegie Institute of Technology(宾夕法尼亚州匹兹堡)的博士学位。


发明:


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