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电子束光刻技术

使用单一束电子束光刻工具
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描述

最初由IBM在1980年代,电子束光刻技术利用单光束电子束的工具。电子束光刻有时被称为无掩模光刻或直写光刻。电子束直接写模式在分辨率低于10纳米晶片。它是有吸引力的,因为它使好决议无需光掩模。在电子束光刻技术,然而,吞吐量相对缓慢。

电子束技术也用于检查,特别是加速学习过程。在这个过程中,我们的想法是找到并消除缺陷类型一个接一个,直到可以制造设备规范。电子束是理想的一些缺陷类型,但它仍然有一些局限性,如速度,使它不可能取代光学检验。它对于传统电压对比模式(非接触式electrical-defect信号可以显著减少检测时间),和身体缺陷检测,特别是尖端技术节点。


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