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宽I/O: 3D IC内存接口标准

三维存储接口标准
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描述

宽I/O是JEDEC公司(JESD229)生产的3D IC内存接口标准。基本概念是使用非常多的引脚,每个引脚速度相对较慢,但功耗较低。这些概念对于PCB类型的互连来说是不可能的,因为这些环境的引脚限制以及与通过PCB传递信号相关的电源和信号完整性问题。使用堆叠的晶片,互连的数量变得大得多,因为它们不局限于设备的外围。此外,芯片之间的距离可以小于轨道长度,而不是垂直堆叠的薄芯片之间(50-100um)。这降低了电容,从而降低了功耗。
该接口于2012年1月由JEDEC首次标准化,它使用单数据速率技术为运行在200MHz的DRAM指定了4个128位通道。总带宽为100Gb/S

宽I/O 2 2014年8月

宽I/O 2提供了四倍的内存带宽(高达68GBps)的前一个版本的标准,但在更低的功耗(更好的带宽/瓦特),改变到1.1V的电源电压。从封装的角度来看,宽I/O 2芯片经过优化,可以堆叠在片上系统(SOC)之上,以最大限度地降低功耗和占地面积。

该标准定义了带有4或8个64位宽通道的8 Gb到32 Gb SDRAM设备的接口,使用1到4个内存设备和控制器/缓冲设备之间的直接芯片到芯片连接方法。WideIO2体系结构是WIO体系结构的进化,可实现带宽随容量的扩展。

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