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光学接近校正(OPC)

一种通过修改掩模图案来改善晶圆印刷适印性的方法。
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描述

光学接近校正(OPC)通常与掩模有关。该掩模是在掩模设备中生产的。在流程中,芯片制造商设计IC,然后将其转换为文件格式。然后,基于该格式开发了掩模。

掩模是给定IC设计的主模板。在掩模开发完成后,它被运送到晶圆厂并放置在光刻扫描仪中。

OPC是一种分辨率增强技术(RET),它利用掩模上微小的子分辨率辅助特征(sraf)或装饰性形状。OPC修改掩模图案,以提高晶圆上的印刷适印性。

多年来,掩模制造商在掩模上很少或根本不使用OPC。掩模复杂度从22nm/20nm开始逐步升级。基于opc的特征开始在掩模上堆积和重叠,使得在晶圆上打印一些特征变得困难。作为解决方案,该行业转向多个模式.使用这种方法,基于opc的功能被分成两个或多个掩码,这提供了更多的空间来操作对象。但是,在高级节点上,OPC特性变得越来越小,越来越复杂。

更先进的ret已被引入,如曲线辅助功能。曲线辅助特征的一个版本被称为反光刻技术(ILT)。ILT利用掩模上的曲线形状来改善工艺的纬度和光刻系统的焦点深度。然而,掩模形状和更精细的几何图形的复杂性的增加意味着它将需要更长的时间来编写或图案掩模。

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