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气隙

一种通过创造空隙来改善半导体中各个元件之间绝缘的方法。
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气隙采用空气作为绝缘体,降低高级工艺节点的电容。IBM在2007年提出了这一概念,它被认为是几十年来电介质领域唯一的根本性改进。

有一段时间,逻辑供应商希望在ILD中使用空气或真空间隙,这可以将k值降低到1.0的理论极限。但是气隙技术比之前想象的更加困难和昂贵,迫使逻辑供应商推迟了这个想法。

英特尔在其14纳米finFET工艺中引入了气隙。该工艺包括9至12层金属,并在MT4和MT6两层上使用气隙。英特尔表示,采用气隙技术后,电容提高了17%。

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