集中在多位数设备,shared-write-channel (SWC)内存设计提供设备电流密度的两倍说磁性随机存取存储器(MRAM)。
文摘
“Spin-orbit-torque(说)设备是有前途的候选人为未来磁记忆风景,他们承诺高耐力、低干扰阅读,和较低的读取错误,与自旋扭矩设备相比。然而,说记忆是区域密集由于两个访问晶体管每一点要求。在这里,我们报告一个多位数说细胞只有一个写通道在多个比特之间共享,使area-efficient内存设计通过减少访问晶体管的数量。所有的数字信息的组合都可以写在多位数设备只有一个电流脉冲。这个功能是通过电场调制说极性的调优重metal-ferromagnet界面氧化态。集中在多位数设备,shared-write-channel (SWC)内存设计提供设备电流密度的两倍说磁性随机存取存储器(MRAM)。这种改进使得说MRAM呼吁其广泛采用的内存层次结构。”
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拉胡尔Mishra, Taehwan金、Jongsun公园和Hyunsoo杨
理论物理。启应用15,024063 - 2021年2月25日出版
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