标签:在手性转矩

小说自旋电子Neuro-mimetic设备模拟生活神经元动力学w /高能源效率和紧凑的足迹
通过技术论文链接- 03年6月,2022 -评论:0

新技术论文题为“噪音弹性漏integrate-and-fire神经元基于多域自旋电子元件”来自普渡大学的研究人员。抽象”可以有效地模拟神经功能在硬件构建神经形态计算系统是至关重要的。在各种类型的neuro-mimetic设备进行了调查,仍然是具有挑战性的……»阅读更多

SOT-MRAM挑战SRAM
通过布来安梅奥1月- 13,2022 -评论:1

时代新型非易失性存储器(NVM)技术,另一个变化将加入竞争- MRAM的新版本称为在手性力矩,或SOT-MRAM。这个一个特别有趣的是,有一天它可以取代SRAM阵列在systems-on-chip (soc)和其他集成电路。SOT-MRAM技术的关键优势是公关……»阅读更多

在手性力矩工程β-W / CoFeB异质结构与W-Ta或W-V合金层β-W和CoFeB之间
通过技术论文链接- 04年1月,2022 -评论:0

抽象的“自旋轨道转矩(说)造成的自旋电流产生在一个非磁性过渡金属层提供了一个有前途的自旋电子元件磁化切换机制。为了充分利用这种机制,在实践中,说效率高的材料是不可或缺的。此外,新材料与半导体加工需要兼容。本研究介绍……»阅读更多

舞台,在手性torque-induced切换垂直磁化的亚铁磁性层垂直梯度组成
通过技术论文链接- 04年1月,2022 -评论:0

抽象”Current-induced在手性力矩(套装与sot文件)感兴趣的快速和节能操纵磁自旋电子元件。是确定的,然而,切换垂直地磁化材料说需要一个平面对称破坏的机制。现有的方法这样做涉及平面偏置磁场的应用程序,或合并o……»阅读更多

高密度Spin-Orbit-Torque Shared-Write-Channel-Based装置磁随机存取存储器
通过技术论文链接- 2月28日,2021 -评论:0

抽象”Spin-orbit-torque(说)设备是有前途的候选人为未来磁记忆风景,他们承诺高耐力、低干扰阅读,和较低的读取错误,与自旋扭矩设备相比。然而,说记忆是区域密集由于两个访问晶体管每一点要求。在这里,我们报告一个多位数说细胞只有一个写陈…»阅读更多

电力/性能:1月11日
通过杰西·艾伦1月- 11,2021 -评论:0

量子点晶体管洛斯阿拉莫斯国家实验室的研究人员和加州大学欧文使用量子点创建的晶体管可以组装成功能性逻辑电路。“潜在的应用新方法基于无毒量子点的电子设备包括打印电路、灵活的显示,芯片实验室诊断,可穿戴设备,我……»阅读更多

高效旋轨道转矩开关与Non-Epitaxial硫族化物异质结构
通过技术论文链接——1月31日,2020 -评论:0

文摘:“自旋轨道扭矩(套装与sot文件)生成的拓扑绝缘体(TIs)近年来得到越来越多的关注。这些是通常由外延发展硫属化合物,具有极高的效率和有很大的潜力成为用于下一代自旋电子学设备。然而,这些硫属化合物的外延是需要确保……»阅读更多

MRAM:从STT说,安全与记忆
通过技术论文链接- 4月30日,2019 -评论:0

文摘:“自旋转移力矩磁性随机存取存储器(STT-MRAM)是一个领先的候选人为嵌入式内存融合先进的技术节点。特别适应于低功耗应用程序,需要一个像样的水平的性能。然而,它也有利益安全的应用程序。目前的密码是一个轻量级密码算法针对超……»阅读更多

开关垂直铁磁层的自旋电流竞争
通过技术论文链接- 3月31日,2018 -评论:0

抽象的“自旋电子学的终极目标是控制磁力通过电子手段。一个很有前景的方法是利用current-induced在手性转矩(说)来自强旋轨道耦合在重金属及其接口切换一个垂直地磁化铁磁层在室温下。然而,实验实现说切换日期要求……»阅读更多

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权©2013 - 2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu