文摘:
“自旋转移力矩磁性随机存取存储器(STT-MRAM)是一个领先的候选人为嵌入式内存融合先进的技术节点。特别适应于低功耗应用程序,需要一个像样的水平的性能。然而,它也有利益安全的应用程序。目前的密码是一个轻量级密码算法针对超低功率应用物联网或射频识别等。本文旨在结合这低功率与STT-MRAM密码算法主要特点是它的低消费。新一代的密码关应用程序是非常有趣的。事实上,对于这些特定应用程序混合CMOS / STT-MRAM密码消耗更少的能量比纯CMOS密码算法。尽管STT-MRAM的性能比标准非易失性技术像flash,高速应用受到限制。新的MRAM技术基于旋轨道转矩(说)是最近发现,提供更好的性能在速度和耐力方面,密度略有退化为代价的。也在本文中,我们提出一个比较研究的几个SOT-MRAM记忆的架构评估的可能优势NV技术对高速应用。”
找到这里的技术论文。2019年4月发表在IEEE Xplore。
m . Kharbouche-Harrari et al .,“MRAM: STT说,安全与记忆,”2018年会议的设计电路和集成系统(DCIS), 2018年,页1 - 6,doi: 10.1109 / DCIS.2018.8681468。
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