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将铜互联规模多远?


作为主要芯片制造商继续规模finFETs——很快nanosheet晶体管——倾向于音高,最小的金属线最终将成为站不住脚使用铜金属衬套和障碍。接下来会发生什么,当仍有待确定。正在研究有多个选项,每个国家都有自己的权衡。自从IBM介绍了行业c…»阅读更多

铁电体:负电容的梦想


铁电体越来越严重的复审,随着芯片制造商寻找新选项保持驱动电流。铁电材料可以提供非易失性内存,提供一个重要的功能的DRAM和闪存之间的差距。事实上,铁电体的内存和2 d通道晶体管是两个突出最近的IEEE会议电子设备。Ferroelectri……»阅读更多

3月向Chiplets


天的单片芯片开发最先进的流程节点正在迅速减少。几乎每个人都在设计的前沿工作展望某种类型的先进包装使用离散异构组件。现在的挑战是如何将整个芯片行业转入这个分类模型。它需要时间、精力以及大量reali……»阅读更多

3 d-ic可靠性降低和增加温度


3 d-ic设计的可靠性取决于工程团队的能力来控制热量,可以显著降低性能和加速电路老化。而热以来一直在半导体设计问题至少28 nm,它更具有挑战性的处理3 d包内部,电迁移可以扩散到多个芯片在多个层面上。“是…»阅读更多

周评:制造、测试


1400多名参加者在本周的IEDM,庆祝75周年的晶体管,显然是专注于制造下一个75年的半导体甚至比过去更引人注目。英特尔、三星、台积电、意法半导体、GlobalFoundries imec宣布突破设备,材料,甚至集成方法。这些包括:英特尔展示先进……»阅读更多

芯片行业的技术论文摘要:11月29日


新的技术论文添加到半导体工程本周的图书馆。(表id = 66 /)相关阅读:芯片行业的技术论文摘要:11月21日新的论文:光刻建模;解决Rowhammer;节能批正常化HW;和可重构模拟信号调制电路;横向双磁隧道结;减少分支mispredic……»阅读更多

圆片规模可变性在光子设备&对电路的影响


技术论文题为“捕捉空间过程变化的影响硅光子电路”被光子学研究小组的研究人员发表,根特大学−IMEC。“我们在本文的方法来提取一个细粒度的图线的宽度和厚度变化对硅光子晶片。我们提出一个层次模型分离layout-dependent和l…»阅读更多

挑战背后的权力交付


的关键技术之一,使比例低于3 nm涉及权力提供芯片的背面。这部小说的方法提高信号的完整性,减少路由拥塞,但它也带来了一些新的挑战,今天没有简单的解决方案。背后的权力交付(桶)消除了信号之间需要共享互连资源和电线t…»阅读更多

热半导体热管理的趋势


越来越热的挑战,随着行业进入3 d包装和继续大规模数字逻辑,正推动研发的极限。太多的基本物理热困在过于狭小的空间导致实实在在的问题,如消费产品,太热。然而,更糟糕的是权力的丧失和可靠性,因为过热的DRAM不断r……»阅读更多

博客评论:11月16日


西门子EDA杰克Wiltgen解释瞬时和永久故障的区别在设计ISO 26262标准,包括他们从哪里来,以及关键的方法来防止他们。Vikas Gautam Synopsys对此“点设计大型soc的经济学是如何驾驶chiplet-based设计和需要die-to-die UCIe等标准,随着关键协议verif……»阅读更多

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