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铁电体:负电容的梦想
凯瑟琳德比郡
(所有的帖子)
Katherine Derbyshire是《半导体工程》的技术编辑。
作者最新文章
铁电体:负电容的梦想
通过
凯瑟琳德比郡
- 2022年12月15日-意见:0
随着芯片制造商寻找维持驱动电流的新方法,铁电体正受到认真的重新审视。铁电材料可以提供非易失性存储器,在DRAM和闪存之间提供重要的功能间隙。事实上,用于存储器的铁电体和用于晶体管的2D通道是最近IEEE电子设备会议的两个亮点。Ferroelectri……
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新一代晶体管有什么不同
通过
凯瑟琳德比郡
- 2022年10月20日-评论:0
经过近十年的发展和五个主要节点,以及大量的半节点,半导体制造业将开始从finfet过渡到3nm技术节点的全能堆叠纳米片晶体管架构。相对于finfet,纳米片晶体管通过在相同的电路占地面积内增加通道宽度来提供更大的驱动电流。gate-all-aroun……
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小功能的高价格
通过
凯瑟琳德比郡
- 2022年9月15日-评论:0
半导体行业对更高数值孔径的推动是由NA和临界尺寸之间的关系驱动的。随着NA的上升,CD下降:λ是波长,k1是过程系数。虽然0.55 NA曝光系统将提高分辨率,但Synopsys的首席工程师Larry Melvin指出,较小的特征总是与一个过程有关,因为……
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新材料为新设备打开大门
通过
凯瑟琳德比郡
- 2022年7月21日-意见:0
将二维材料集成到传统半导体制造工艺中,可能是芯片工业历史上最根本的变化之一。虽然在半导体制造中引入任何新材料都会带来痛苦和痛苦,但过渡金属二硫化物(TMDs)支持各种新的器件概念,包括BEOL晶体管和单…
»阅读更多
高na EUV可能比看起来更近
通过
凯瑟琳德比郡
- 2022年6月16日-评论
高na EUV有望缩小至埃级,为晶体管数量更高的芯片以及一波全新的工具、材料和系统架构奠定了基础。在最近的SPIE先进光刻会议上,英特尔光刻硬件和解决方案总监Mark Phillips重申了该公司在高端市场部署该技术的意图。
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向更坚固、更便宜的SiC迈进
通过
凯瑟琳德比郡
- 2022年5月19日-意见:0
碳化硅在功率半导体市场,特别是在电动汽车上,正在获得越来越多的吸引力,但对于许多应用来说,它仍然太贵了。原因很好理解,但直到最近,SiC在很大程度上还是一种利基技术,不值得投资。现在,随着对可以在高压应用中工作的芯片的需求增长,SiC得到了更近距离的关注. ...
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使用ReRAM puf隐藏安全密钥
通过
凯瑟琳德比郡
- 2022年4月21日-意见:2
电阻式RAM和物理不可克隆函数(puf)由于完全不同的原因而受到关注,但当它们结合在一起时,就创造了一种极其安全和廉价的存储身份验证密钥的方式。随着安全问题从单纯的软件转向硬件和软件的结合,芯片制造商和系统公司一直在争先恐后地研究如何防止……
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电力、电动汽车市场需要GaN集成电路
通过
凯瑟琳德比郡
- 2022年3月17日-意见:0
使用分立GaN元件构建的电路可能可以完成这项工作,但完全集成的GaN电路仍然是最终目标,因为它们将提供许多与集成硅电路相同的优势。这些优点包括随着电路占地面积的扩大而降低成本,并通过较短的互连运行降低寄生电阻和电容。此外,提高了器件性能。
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2D半导体取得进展,但进展缓慢
通过
凯瑟琳德比郡
- 2022年2月28日-评论
研究人员正在研究未来节点上的各种新材料,但进展仍然缓慢。近年来,二维半导体已成为高比例晶体管通道控制问题的主要潜在解决方案。当设备收缩时,通道厚度应按比例收缩。否则,栅极电容将不足以控制cu的流动。
»阅读更多
改进电池的新方法
通过
凯瑟琳德比郡
- 2022年1月20日-意见:0
世界各地的研究人员都在竞相开发更高效、更密集、更安全的电池技术,他们的研究成果远远超出了以往的研究成果。这在很大程度上是由对内燃机尾气的担忧驱动的,内燃机排放的二氧化碳占全球二氧化碳排放的很大一部分。今天几乎所有的汽车制造商都宣布了开发电池的计划。
»阅读更多
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