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多波束掩模编写器是游戏规则的改变者


eBeam Initiative在2022年第11次年度灯具调查中报告了对多光束掩模写入器的强劲采购预测,从而实现了EUV和曲线掩模的增长。在9月下旬与SPIE掩模技术会议同时举行的活动中,专家小组讨论了曲线掩模采用的剩余障碍。行业名人代表44家公司…»阅读更多

高na EUV使EUV掩模的未来更加复杂


eBeam Initiative在2022年进行的第11次年度灯具调查报告称,EUV推动了半导体掩模行业的增长,而专家小组在9月底与SPIE掩模技术会议同时举行的活动中引用了转向高na EUV的一些复杂性。代表来自整个半导体生态系统的44家公司的行业名人…»阅读更多

2022年调查:灯具报告EUV对掩模趋势的积极影响


eBeam Initiatives从2022年7月开始的第11次年度灯具调查显示•EUV被视为对掩模收入的积极影响•EUV仍然是购买多波束掩模编码器的首要原因•今年多波束掩模编码器可用性问题较少的情况下,对制造曲线掩模的能力的信心仍然很高。»阅读更多

寻找宏观缺陷:裸片检测的重要性


随着逻辑和存储半导体器件接近摩尔定律的极限,对层传输精度的要求越来越严格。一家领先的硅片制造商估计,50%的逻辑外延晶圆供应将在等于或小于7nm的节点上。与本世纪初相比,这一数字增长了约30%。为了满足极端紫外线的要求…»阅读更多

EUV掩模的粒子去除


这篇题为“基于afm的Hamaker常数测定与盲尖重建”的技术论文刚刚由ASML,亚琛工业大学和AMO GmbH的研究人员发表。该研究报告了一种真空afm去除EUV掩模颗粒的方法。在这里找到技术文件。2022年8月出版。Ku, B., van de Wetering, F., Bolten, J., Stel, B., van de K…»阅读更多

覆盖如何与EUV图案保持同步


覆盖计量工具提高精度,同时提供可接受的吞吐量,解决日益复杂的设备的竞争需求。在一场永无止境的竞争中,领先设备的产品覆盖公差正在迅速缩小。对于3nm一代(22nm金属间距)器件来说,它们都在个位数纳米范围内。新的覆盖目标,机器学习,和im…»阅读更多

抑制随机相互作用以改进EUV光刻


作者朱志敏,Joyce Lowes, Shawn Ye,樊志强和Tim Limmer来自美国Brewer Science, Inc.,利用随机区域厚度(SAT)和动态随机区域厚度(DSAT)来评估随机相互作用。提出了高光学足部曝光来取代传统的低基片反射率,以降低SAT。提出了通过酸/淬冷剂加载来控制附着力……»阅读更多

用于EUV的衰减相移掩模(attPSM) (Fraunhofer IISB)


新的研究论文题为“衰减相移掩模:极紫外光刻的通配符分辨率增强?”,”来自弗劳恩霍夫研究所für集成系统和Bauelementetechnologie IISB(德国)的研究人员。目的:“我们回顾了已发表的用于EUV的衰减相移掩模(attPSM)的研究,特别强调建模和对EUV的基本理解。»阅读更多

面具景观的变化


半导体掩模在经历了多年相对较小的变化之后,在过去几年中经历了一些重大的技术变化。多束掩模写入器和极紫外(EUV)光刻等新技术是进入大批量生产的重大突破。与这些技术相关的一个新趋势是在掩模上使用曲线特征。阿基…»阅读更多

在蚀刻室原位进行ASD工艺


来自TEL技术中心、美洲和IBM研究中心的新研究论文“等离子体基区域选择性沉积用于降低极紫外抵抗缺陷和改善工艺窗口”。摘要:“极紫外(EUV)光刻技术已经克服了重大挑战,成为逻辑缩放路线图的重要推动者。然而,它仍然受到stocha…»阅读更多

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