来自TEL技术中心，美洲和IBM研究中心的新研究论文。
来自TEL技术中心、美洲和IBM研究中心的新研究论文“等离子体基区域选择性沉积用于降低极紫外抵抗缺陷和改善工艺窗口”。
文摘:
“极紫外(EUV)光刻技术已经克服了重大挑战，成为逻辑缩放路线图的重要推动者。然而，它仍然受到随机驱动缺陷的限制，例如对侵略性pitch的断线和线桥。这与需要最积极扩展的后端业务尤其相关。随机缺陷降低了器件的成品率，并可能推动器件制造商转向超过36纳米间距单次曝光的EUV多图版，这是一个昂贵的选择。虽然光刻和模版堆叠可以优化，以提供最大的工艺窗口和最低数量的缺陷，但工艺裕度随着所需间距的减小而减小。目前，对于一些光刻堆栈，特别是基于旋转玻璃的三层堆栈，超过36nm间距的无缺陷工艺窗口受到线塌缩的限制。降低抗蚀剂厚度可能会减轻图案崩溃，但也可能会增加断行的数量——从一个致命缺陷变成另一个。在本文中，我们扩展了蚀刻室原位的区域选择性沉积(ASD)工艺，在将图案向下游转移之前选择性地在EUV光刻胶上沉积材料。我们证明了抵抗线缺口和断裂的缓解，同时保持无沉积的开放区域和清晰的对齐标记。由于沉积过程固有的化学选择性，而不是单纯的长径比驱动沉积过程，更薄的抵抗，在正常的蚀刻条件下会导致断行，现在可以考虑。 This drives down flopover defect issues seen with thicker EUV resists and enables several underlayer systems that could otherwise not be considered. Finally, we demonstrate that defectivity levels measured by e-beam inspection post lithography and post pattern transfer and yield are both improved at 30 nm pitch when this ASD process is used.”
找到这里是技术文件．2022年5月出版。
Katie Lutker-Lee, Jennifer Church, Eric Miller, Angelique Raley和Luciana Meli，“等离子体基区域选择性沉积用于极紫外抗缺陷降低和工艺窗口改善”，真空科学与技术杂志B 40,032204 (2022) https://doi.org/10.1116/6.0001665
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