新的研究论文题为“衰减相移掩模:极紫外光刻的通配符分辨率增强?”，”来自弗劳恩霍夫研究所für集成系统和Bauelementetechnologie IISB(德国)的研究人员。
目的:“我们回顾了已发表的用于EUV的衰减相移掩模(attPSM)的研究，特别强调了替代吸收材料的建模和成像特性的基本理解。对以往工作的概述旨在总结典型的观察和对所取得成果的学习，并为这一重要课题的进一步研究提供参考。”
找到开放获取这里是技术论文。2022年5月出版。
Andreas Erdmann, Hazem Mesilhy, Peter Evanschitzky，“衰减相移掩模:极紫外光刻的外卡分辨率增强?J. Micro/ nanoppattern。垫。地铁。21(2)020901(2022年5月11日)https://doi.org/10.1117/1.JMM.21.2.020901。
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