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应用功能型自旋玻璃实现亚30节距EUV光刻
通过布鲁尔科学- 2022年10月19日-评论:0

光刻胶指标，如分辨率、粗糙度、CD均匀性和整体工艺窗口，往往旨在实现EUV光刻的全部潜力。从材料供应商的角度来看，可以通过优化抗阻力下使用的功能材料来实现对上述指标的改进。衬底层通过提供抗蚀性能，可显著提高抗蚀性能。»阅读更多

一种用于聚合物/金属混合键合应用的新型光敏永久键合材料
通过布鲁尔科学- 2022年8月18日-评论:0

晶圆级混合键合技术是在金属-金属层和介电-介电层之间同时键合的技术，近年来在制造高带宽和高互连密度的三维集成电路方面引起了越来越多的关注。然而，采用氧化硅作为电介质的传统杂化键接存在一些问题，如高应力和低…»阅读更多

抑制随机相互作用以改进EUV光刻
通过布鲁尔科学- 2022年7月21日-意见:0

作者朱志敏，Joyce Lowes, Shawn Ye，樊志强和Tim Limmer来自美国Brewer Science, Inc.，利用随机区域厚度(SAT)和动态随机区域厚度(DSAT)来评估随机相互作用。提出了高光学足部曝光来取代传统的低基片反射率，以降低SAT。提出了通过酸/淬冷剂加载来控制附着力……»阅读更多

用于高级图案转移应用的高温稳定自旋碳材料
通过布鲁尔科学- 2022年6月16日-评论:0

近年来，与高温工艺兼容的自旋碳(SOC)材料需求旺盛。这一要求是为了在利用化学气相沉积(CVD)和/或原子层沉积(ALD)工艺的集成方案中使用高温SOC (HTSOC)材料。除了与高温沉积工艺兼容外，planari…»阅读更多

利用355nm能量实现RDL-First和Die-First扇出晶圆级封装(FOWLP)的可键合激光释放材料研究
通过布鲁尔科学- 2022年5月18日-意见:0

本文对重分布层(RDL)优先和模先扇出晶圆级封装(FOWLP)中可粘结激光释放材料的选择进行了全面评价。根据其在355 nm处的吸收系数，筛选出了4种激光释放材料。此外，这四种材料都具有350℃以上的热稳定性和在Ti/Cu l表面的拉脱附着力。»阅读更多

用于先进晶圆级封装的单层机械脱粘胶
通过布鲁尔科学- 2022年4月20日-意见:0

更好的性能和更低的成本一直是半导体行业追求的关键趋势。摩尔定律在性能和成本之间提供了非常明确的关系，半导体行业在过去几十年里一直遵循这一定律，没有任何问题。然而，对于晶圆代工厂和集成设备制造商(idm)来说，扩大规模变得越来越困难。»阅读更多

一种新型多功能单层胶粘剂，用于晶圆级封装应用中的临时粘接和机械脱粘
通过布鲁尔科学- 2021年12月15日-意见:0

在过去的十年中，晶圆的临时粘接(TB)和去粘接(DB)技术在各种晶圆级封装技术中得到了广泛的开发和应用，如封装对封装(PoP)、扇出集成以及使用透硅孔(tsv)的2.5D和3D集成。用于实现TB和DB的材料是非常关键的，目前行业的最佳实践是使用tw。»阅读更多

化学工作的光刻:马兰戈尼效应为增强平面化的单层
通过布鲁尔科学- 2021年11月17日-评论:0

在半导体制造领域，人们仍在不断寻找提高晶圆临界尺寸均匀性(CDU)的技术。CDU的改进和一般缺陷的减少提高了工业良率，保证了高可靠性标准。在KrF双大马士革模块集成，在平版印刷水平，深沟平面化是强制性的…»阅读更多

硅硬面具的表面是自适应的吗?
通过布鲁尔科学- 2021年9月15日-评论:0

硅硬掩模(Si-HM)材料在光刻工艺中发挥着将图案转移到所需基底上的关键作用。此外，这些材料允许光学性质的调整，如反射率和光学分布，以更好的光刻。Si-HM材料还需要在光学曝光前后与光刻胶具有良好的相容性，在此期间…»阅读更多

基于Marangoni效应的双层大马士革通道优先方法
通过布鲁尔科学- 2021年8月19日-评论:0

双大马士革(DD)先经工艺的主要挑战之一是控制沟槽光刻中的临界尺寸(cd)。光刻胶(PhR)厚度从通孔阵列到开放区域呈现变化，这导致CDs的变化:摆动效应。报道了一种经优先工艺的DD平面化过程。双层解决方案用于演示……»阅读更多

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