寻找宏观缺陷:裸片检测的重要性


随着逻辑和存储半导体器件接近摩尔定律的极限,对层传输精度的要求越来越严格。一家领先的硅片制造商估计,50%的逻辑外延晶圆供应将在等于或小于7nm的节点上。与本世纪初相比,这一数字增长了约30%。为了满足极端紫外线的要求…»阅读更多

EUV掩模的粒子去除


这篇题为“基于afm的Hamaker常数测定与盲尖重建”的技术论文刚刚由ASML,亚琛工业大学和AMO GmbH的研究人员发表。该研究报告了一种真空afm去除EUV掩模颗粒的方法。在这里找到技术文件。2022年8月出版。Ku, B., van de Wetering, F., Bolten, J., Stel, B., van de K…»阅读更多

覆盖如何与EUV图案保持同步


覆盖计量工具提高精度,同时提供可接受的吞吐量,解决日益复杂的设备的竞争需求。在一场永无止境的竞争中,领先设备的产品覆盖公差正在迅速缩小。对于3nm一代(22nm金属间距)器件来说,它们都在个位数纳米范围内。新的覆盖目标,机器学习,和im…»阅读更多

抑制随机相互作用以改进EUV光刻


作者朱志敏,Joyce Lowes, Shawn Ye,樊志强和Tim Limmer来自美国Brewer Science, Inc.,利用随机区域厚度(SAT)和动态随机区域厚度(DSAT)来评估随机相互作用。提出了高光学足部曝光来取代传统的低基片反射率,以降低SAT。提出了通过酸/淬冷剂加载来控制附着力……»阅读更多

用于EUV的衰减相移掩模(attPSM) (Fraunhofer IISB)


新的研究论文题为“衰减相移掩模:极紫外光刻的通配符分辨率增强?”,”来自弗劳恩霍夫研究所für集成系统和Bauelementetechnologie IISB(德国)的研究人员。目的:“我们回顾了已发表的用于EUV的衰减相移掩模(attPSM)的研究,特别强调建模和对EUV的基本理解。»阅读更多

面具景观的变化


半导体掩模在经历了多年相对较小的变化之后,在过去几年中经历了一些重大的技术变化。多束掩模写入器和极紫外(EUV)光刻等新技术是进入大批量生产的重大突破。与这些技术相关的一个新趋势是在掩模上使用曲线特征。阿基…»阅读更多

在蚀刻室原位进行ASD工艺


来自TEL技术中心、美洲和IBM研究中心的新研究论文“等离子体基区域选择性沉积用于降低极紫外抵抗缺陷和改善工艺窗口”。摘要:“极紫外(EUV)光刻技术已经克服了重大挑战,成为逻辑缩放路线图的重要推动者。然而,它仍然受到stocha…»阅读更多

光掩模在成熟节点出现短缺


成熟节点对芯片的需求激增,加上这些几何形状的光掩模制造设备老化,正在引起整个供应链的严重担忧。这些问题最近才开始浮出水面,但对于对芯片生产至关重要的掩模来说,这些问题尤其令人担忧。28nm及以上掩模的制造能力尤其紧张,这推动了…»阅读更多

IC制造材料和工艺的巨大变化


Brewer Science的CTO Rama Puligadda接受了《半导体工程》杂志的采访,讨论了半导体制造、封装和材料的一系列广泛变化,以及这将如何影响整个供应链的可靠性、工艺和设备。SE:牺牲材料在半导体制造中扮演什么角色,在新的工艺节点上有什么变化?Puliga……»阅读更多

EUV掩模检测源性能指标


摘要“为获得光化图案掩模检测系统的光源亮度、功率、寿命和洁净度的规格,推导了规则。我们着重于物理过程和技术方面的要求,放射源的十字线检查。我们讨论了扫描仪在放大倍率、系统性能、性能和性能等方面的异同。»阅读更多

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