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芯片行业技术论文综述:11月29日

碳纳米管晶体管;XDA倒装芯片封装finFET器件;模拟低压稳压器;硅光子电路的变化;电动汽车充电安全;二维材料如何膨胀;vdW材料性能;纳米级3D打印;基于ULI的GaAs内部三维结构。

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二维热膨胀的统一方法和描述符过渡金属二卤族化物单层 麻省理工学院和南方科技大学
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一维MoI3中的元素激发范德瓦尔斯纳米线 NIST、加州大学河滨分校、佐治亚大学、泰斯研究公司和斯坦福大学
Burst模式启用超快激光刻字里面是砷化镓 法国LP3实验室,艾克斯-马赛大学(AMU)和CNRS的联合研究单位

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