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芯片行业技术论文综述:11月29日


新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=66 /]相关阅读:Chip Industry 's Technical Paper综述:11月21日解决Rowhammer;节能批量归一化;3对1可重构模拟信号调制电路;横向双磁隧道结;减少分支错误预测…»阅读更多

光子器件的晶圆级变异性&对电路的影响


一篇题为“捕捉硅光子电路中空间过程变化的影响”的技术论文由根特大学- IMEC光子学研究小组的研究人员发表。“我们在这篇论文中提出了一种方法来提取线宽和厚度变化在硅光子晶圆颗粒图。我们提出了一种分层模型来分离布局依赖和l…»阅读更多

高na EUV可能比看起来更近


高na EUV有望缩小至埃级,为晶体管数量更高的芯片以及一波全新的工具、材料和系统架构奠定了基础。在最近的SPIE先进光刻会议上,英特尔光刻硬件和解决方案总监Mark Phillips重申了该公司在高端市场部署该技术的意图。»阅读更多

3nm及以上的掩模挑战


专家会议:半导体工程公司坐下来讨论光学和EUV掩模问题,以及掩模业务面临的挑战,DNP研究员Naoya Hayashi;Peter Buck,西门子数字工业软件MPC和掩模缺陷管理总监;Hoya技术战略高级总监Bryan Kasprowicz;以及D2S首席执行官藤村昭。f…»阅读更多

为什么掩码空格很重要


Hoya Group的Hoya LSI总裁Geoff Akiki与Semiconductor Engineering公司坐下来讨论光学和极紫外(EUV)光刻以及掩模坯。以下是那次讨论的节选。掩模坯料是作为掩模的基板或衬底的组件。为什么它们很重要?Akiki:如果你看看Hoya,我们一直被定位为……»阅读更多

向量Runahead


摘要:“内存墙对许多现代工作负载的性能造成了重大限制。这些应用程序具有依赖的、间接的内存访问的复杂链,即使是最先进的微架构预取器也无法拾取。结果是当前无序超标量处理器大部分时间都处于停滞状态。虽然可以实现……»阅读更多

EUV薄膜终于准备好了


经过一段时间的延迟,EUV薄膜正在出现,并成为关键芯片大批量生产的必要条件。与此同时,极紫外(EUV)光刻的薄膜景观正在发生变化。作为EUV薄膜的唯一供应商,ASML正在将这些产品的组装和分销转移给三井。其他人也在为下一代EUV开发薄膜。»阅读更多

EUV在3nm及以下的挑战和未知


芯片行业正在为3nm及以上的极紫外(EUV)光刻技术的下一阶段做准备,但挑战和未知仍在继续堆积。在研发方面,供应商正在研究各种新的EUV技术,如扫描仪、电阻和掩模。这些将是达到未来工艺节点所必需的,但它们比目前的EUV pro更复杂和昂贵。»阅读更多

EUV面临的挑战依然存在


《半导体工程》杂志与Photronics的技术和战略总监、杰出的技术人员Bryan Kasprowicz坐下来讨论光刻和掩模问题;哈里·莱文森(Harry Levinson), HJL Lithography的负责人;NuFlare的高级技术专家Noriaki Nakayamada;以及D2S首席执行官藤村昭。以下是那次谈话的节选。竞争……»阅读更多

制造比特:5月26日


▽“2020年超大规模集成电路技术研讨会”将首次以虚拟会议形式举行。此次活动将于6月15日至18日举行,主题为“未来40年的VLSI for Ubiquitous Intelligence”。会上发表的论文包括先进的纳米薄片晶体管、3D堆叠存储设备,甚至还有人造虹膜。在…»阅读更多

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