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标签:法国的大学

芯片行业技术论文综述:11月29日
通过琳达·克里斯坦森- 2022年11月29日-评论:0

新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=66 /]相关阅读:Chip Industry 's Technical Paper综述:11月21日解决Rowhammer;节能批量归一化;3对1可重构模拟信号调制电路;横向双磁隧道结;减少分支错误预测…»阅读更多

超快激光刻蚀GaAs内部三维结构
通过技术文件链接- 2022年11月28日-评论:0

法国LP3实验室(艾克斯-马赛大学(AMU)和法国国家科学研究中心的联合研究单位)的研究人员发表了一篇题为“在砷化镓内部启用爆发模式的超快激光铭文”的新技术论文。“我们研究了在GaAs内部使用thzrepetitrate突发模式的可能性，这种材料不能用单飞秒脉冲进行内部处理……»阅读更多

SOT-MRAM将挑战SRAM
通过布来安梅奥- 2022年1月13日-评论

在新的非易失性存储器(NVM)技术时代，另一种变体正准备加入竞争——一种名为自旋轨道转矩(SOT-MRAM)的新版本MRAM。让它特别有趣的是，它有可能在某一天取代片上系统(soc)和其他集成电路中的SRAM阵列。SOT-MRAM技术的主要优点是具有良好的可靠性。»阅读更多

rram中的间歇性未定义状态故障
通过技术文件链接- 2021年9月3日-评论

摘要:“业界正在将电阻式随机存取存储器(RRAMs)原型化并商业化。不幸的是，RRAM设备引入了新的缺陷和故障。因此，迫切需要高质量的测试解决方案。基于硅的测量，本文确定了一种新的RRAM特有故障——间歇未定义状态故障(IUSF);该故障会导致RRAM设备断续c…»阅读更多

功率/性能位:10月24日
通过杰西·艾伦- 2017年10月24日-评论:0

Charles Sadron研究所和艾克斯-马赛大学的化学家们使用质谱法读取了合成聚合物在分子尺度上记录的几个字节的数据，为可读取的分子单位(单体)序列存储的数据量设定了新的基准。聚合物有很大的潜力，因为它们的组成成分单体具有一定的潜力。»阅读更多

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