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超快激光刻蚀GaAs内部三维结构

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法国LP3实验室(艾克斯-马赛大学(AMU)和法国国家科学研究中心的联合研究单位)的研究人员发表了一篇题为“在砷化镓内部启用爆发模式的超快激光铭文”的新技术论文。

“我们研究了在GaAs内部使用thzrepetitrate突发模式的可能性,这种材料不能用单飞秒脉冲进行内部处理。在发光显微镜的帮助下,我们研究了能量沉积对应用脉冲特性的敏感性。”

找到开放获取这里是技术文件.2022年9月出版。

引用本文:anton Wang et al 2022 Int。j .好多。制造。4 045001。

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