一篇题为“Perspectives on movpe - growing (100) β-Ga .”的技术论文2O3.“用于电力电子应用的薄膜及其铝合金”由德国莱布尼茨研究所für Kristallzüchtung (IKZ)的研究人员发表。
β-氧化镓(β-Ga2O3.)是一种极具前景的超宽带隙半导体，具有吸引人的物理性能，可用于下一代大功率器件、射频电子器件和日盲紫外线辐射探测器。在这里，我们对movpe生长的(100)β-Ga的发展进行了概述和展望2O3.薄膜及其在大功率电子设备中的补充作用。本文综述了(100)β-Ga生长过程的发展历程2O3.讨论了薄膜已解决的问题和存在的挑战。分析了结构缺陷形成机制、基片处理策略和不同的生长窗口，以优化生长薄膜，以满足器件制造的要求。”
找到这里是技术文件．2022年12月出版。
Jana Rehm, Ta-Shun Chou, Saud Bin Anooz, Palvan Seyidov, Andreas Fiedler, Zbigniew Galazka，和Andreas Popp，“movpe生长的(100)β-Ga2O3薄膜及其在电力电子应用中的铝合金”，应用。理论物理。121,240503 (2022) https://doi.org/10.1063/5.0122886。
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