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标签:STT-MRAM

高性能存储器:具有正交偏振器的新型横向双磁隧道结(MTJ)
通过技术文件链接- 2022年11月17日-评论:0

汉阳大学的研究人员发表了一篇名为“用于高性能磁阻存储器的具有正交偏振器的横向双磁隧道结装置”的新技术论文。在这里找到技术文件。2022年11月出版。Sin, S, Oh, S.用于高性能磁阻存储器的具有正交偏振器的横向双磁隧道结装置....»阅读更多

重新设计通用单片3D系统的核心和缓存层次结构
通过技术文件链接- 2022年10月24日-评论:0

ETH Zürich、KMUTNB、NTUA和多伦多大学的研究人员发表了一篇题为“RevaMp3D:为具有单块集成逻辑和内存的系统构建处理器核心和缓存层次结构”的技术论文。摘要:“最近的纳米技术进步使单片3D (M3D)集成多个内存和逻辑层在单个芯片上具有细颗粒…»阅读更多

SOT-MRAM将挑战SRAM
通过布来安梅奥- 2022年1月13日-评论

在新的非易失性存储器(NVM)技术时代，另一种变体正准备加入竞争——一种名为自旋轨道转矩(SOT-MRAM)的新版本MRAM。让它特别有趣的是，它有可能在某一天取代片上系统(soc)和其他集成电路中的SRAM阵列。SOT-MRAM技术的主要优点是具有良好的可靠性。»阅读更多

展望:DRAM, NAND，下一代内存
通过马克LaPedus- 2021年11月18日-评论:0

Objective Analysis的主管Jim Handy接受了《半导体工程》的采访，谈论了3D NAND、DRAM和下一代内存市场。以下是那次讨论的节选。SE:到目前为止，你如何描述2021年的NAND市场?Handy:所有芯片在2021年都看到了不同寻常的强度，但NAND闪存和DRAM正在做他们通常做的事情，表现出更多的电子性能。»阅读更多

错误越多，记忆越正确
通过布来安梅奥- 2021年11月9日-评论

当任何类型的存储位元变得越来越小时，由于较低的裕度和过程变化，误码率会增加。这可以通过纠错来处理和纠正比特错误，但随着使用更复杂的纠错码(ECC)，它需要更多的硅面积，这反过来又提高了成本。鉴于这种趋势，迫在眉睫的问题是……的成本是否……»阅读更多

可靠和高效的紧凑模型，可扩展的MTJ仿真
通过费尔南多·加西亚·雷东多- 2021年9月9日-评论:0

作者:Fernando García Redondo, Pranay Prabhat, and Mudit Bhargava自1975年发现隧道磁电阻(TMR)以来，一直受到积极的研究。从21世纪初开始，工艺技术的进步使得基于TMR器件的磁随机存取存储器(mram)的小型化成为可能，并集成到传统CMOS工艺中。引入magneti……»阅读更多

新的内存会增加新的错误
通过布来安梅奥- 2021年9月7日-评论

新的非易失性存储器(NVM)为改变我们在片上系统(soc)中使用内存的方式带来了新的机会，但它们也为确保它们按预期工作带来了新的挑战。这些新的内存类型——主要是MRAM和ReRAM——依赖于独特的物理现象来存储数据。这意味着在它们被释放之前，可能需要新的测试序列和故障模型。»阅读更多

基于卷积紧致的MRAM故障诊断
通过技术文件链接- 2021年9月3日-评论:0

摘要:“自旋转矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAMs)正在逐渐取代传统的sram，成为片上系统设计中的最后一级缓存。他们的制造过程包括修整STT-MRAM模块中的参考电阻，以在读取操作期间可靠地确定0和1的逻辑值。通常，片上修剪程序包括多个…»阅读更多

mbist支持的Trim调整以补偿MRAM的热行为
通过技术文件链接- 2021年9月3日-评论:0

摘要:自旋转矩磁随机存取存储器(STT-MRAM)是最有希望取代传统嵌入式存储器(如静态RAM和动态RAM)的候选存储器之一。然而，由于MRAM单元的开/关比很小，工艺变化可能会降低芯片的操作裕度。建议将参考修边作为减少变化对气的影响的方法之一。»阅读更多

一个可扩展MTJ仿真的紧凑模型
通过技术文件链接- 2021年8月24日-评论:0

阅读完整的技术论文。2021年6月9日发布。本文提出了一种基于物理的含自旋传递转矩(STT)磁隧道结(MTJ)器件电路的分析和瞬态仿真建模框架。该框架为分析mtj的随机行为和生成Verilog-A紧凑模型提供了工具。»阅读更多

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