标签:SOT-MRAM

高性能记忆:小说横向双磁隧道结(MTJ)和正交偏振器
通过技术论文链接11月17日,2022 -评论:0

一个新的技术论文题为“横向双磁隧道结装置与正交偏振器高性能磁阻的记忆”是汉阳大学的研究人员发表的。发现这里的技术论文。2022年11月出版。罪,S。,哦,美国横向双磁隧道结装置与正交偏振器高性能磁阻的记忆....»阅读更多

为CNN SOT-MRAM-based CIM架构模型
通过技术论文链接2022年5月- 09年-评论:0

新的研究论文为卷积神经网络“内存计算架构基于自旋轨道转矩MRAM”,国立台湾大学,大学,钟元基督教大学。抽象的“最近,大量研究调查计算内存(CIM)体系结构神经网络克服内存瓶颈。因为它的低延迟、高energ……»阅读更多

SOT-MRAM挑战SRAM
通过布来安梅奥1月- 13,2022 -评论:1

时代新型非易失性存储器(NVM)技术,另一个变化将加入竞争- MRAM的新版本称为在手性力矩,或SOT-MRAM。这个一个特别有趣的是,有一天它可以取代SRAM阵列在systems-on-chip (soc)和其他集成电路。SOT-MRAM技术的关键优势是公关……»阅读更多

MRAM在多个方向发展
通过布来安梅奥2021年3月- 11 -评论:1

磁阻的随机存取存储器(MRAM)是为数不多的几个新的非易失性内存技术针对广泛的商业可用性,但设计MRAM芯片和系统不是简单地添加其他类型的内存。MRAM不是all-things-for-all-applications技术。需要调整的目的。mram针对flash也不针对sram,和副更小……»阅读更多

高密度Spin-Orbit-Torque Shared-Write-Channel-Based装置磁随机存取存储器
通过技术论文链接- 2月28日,2021 -评论:0

抽象”Spin-orbit-torque(说)设备是有前途的候选人为未来磁记忆风景,他们承诺高耐力、低干扰阅读,和较低的读取错误,与自旋扭矩设备相比。然而,说记忆是区域密集由于两个访问晶体管每一点要求。在这里,我们报告一个多位数说细胞只有一个写陈…»阅读更多

创业融资:2020年12月
通过杰西·艾伦- 06年1月,2021 -评论:1

人工智能硬件初创公司12月是热在我们创业融资重点,与两家公司着陆轮和很多其他人看到投资超过100美元。两个中国EDA公司收到资金,以提振该国半导体的生态系统。一家公司为晶圆厂提供控制系统实现了8美元系列,电动汽车的自动驾驶和了很多……»阅读更多

制造业:7月21日
通过马克LaPedus- 7月21日,2020 -评论:1

英特尔的下一代MRAM在最近2020年座谈会在VLSI技术和电路,因特尔发表了一篇论文在CMOS-compatible在手性力矩MRAM (SOT-MRAM)设备。还在研发、SOT-MRAM下一代MRAM是为了取代SRAM。一般来说,处理器集成CPU、存储器和各种各样的其他功能。SRAM存储所需的指令迅速processo……»阅读更多

神经形态计算驱动新兴记忆的景观人工智能出类拔萃
通过Synopsys对此- 03年6月,2020 -评论:0

深的速度机器学习和人工智能(AI)是改变世界的计算各级的硬件架构、软件、芯片制造、包装和系统。两个主要的发展打开了门实现机器学习的新技术。首先,大量的数据,即。“大数据”,可用于系统的过程。第二,先进……»阅读更多

NVM可靠性挑战和权衡
通过布来安梅奥4月- 13,2020 -评论:0

第二个两部分看不同的记忆和可能的解决方案。第一部分可以在这里找到。虽然各种NVM技术,如极化,MRAM, ReRAM NRAM高层特征相似,其物理渲染有很大的不同。提供每个都有自己的挑战和解决方案。极化有一个不愉快的历史。最初发布的三星、微米、…»阅读更多

内存问题的人工智能芯片边缘
通过马克LaPedus- - - 3月23日,2020 -评论:3

几家公司正在开发或增加人工智能芯片系统网络上的优势,但供应商面临各种各样的挑战过程节点和记忆的选择很大程度上取决与你一个应用程序。网络边缘包含一个类的产品,从汽车和无人机安全摄像头,智能音箱,甚至企业服务器。所有这些应用程序在…»阅读更多

←旧的文章

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权©2013 - 2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu