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技术论文

高性能存储器:具有正交偏振器的新型横向双磁隧道结(MTJ)

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汉阳大学的研究人员发表了一篇名为“用于高性能磁阻存储器的具有正交偏振器的横向双磁隧道结装置”的新技术论文。

找到这里是技术文件.2022年11月出版。

用于高性能磁阻存储器的具有正交偏振器的横向双磁隧道结装置。科学通报12,19762(2022)。https://doi.org/10.1038/s41598 - 022 - 24075 - y。

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