一个新的技术论文题为“优化预测相变内存模拟内存计算推理”是在IBM的研究人员发表的。
“电气等属性的系统研究抵抗值,内存窗,电阻漂移,读噪音,及其对大型神经网络的精度影响的各种类型和数以千万计的重量。结果表明PCM的精度可以提高款与衬套的短期和长期编程后,由于减少了电阻漂移和阅读噪声,分别虽然减少了内存窗的权衡,”国家。
找到这里的技术论文。2023年4月出版。
Li Ning, Charles Mackin Chen凯文酿造,蒂莫西•菲利普•安德鲁•西蒙伊克巴尔Saraf et al。”优化模拟预测相变内存的内存计算推理。“先进电子材料(2022):2201190。
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