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标签:内存计算

掺硅氧化铪作为铁电层制备FeFET器件
通过技术文件链接- 2022年12月6日-评论:0

Fraunhofer IPMS, GlobalFoundries和TU Bergakademie Freiberg的研究人员发表了一篇题为“用于内存计算应用的基于hfo2 fefet的界面层工程和READ-Voltage优化的协同方法”的新技术论文。抽象(部分)“这篇文章报道了氧化铪基(HfO2)铁电材料性能的改善。»阅读更多

近似加法器适用于使用忆阻交叉阵列的内存计算
通过技术文件链接- 2022年11月17日-评论:0

DFKI(德国人工智能研究中心)和印度信息技术研究所Guwahati的研究人员发表了一篇题为“IMAGIN:基于IMPLY和MAGIC NOR的内存计算近似加法器库”的新技术论文。“我们开发了一个框架，可以为8,12和16位加法器生成具有不同输出误差的近似加法器设计。我们小孩…»阅读更多

基于FeFETs的HDC多比特内存计算系统，实现与sw相当的精度
通过技术文件链接- 2022年11月11日-评论:0

一篇题为“实现基于铁电的内存计算的超维计算的软件等效精度”的新技术论文，由圣母大学、弗劳恩霍夫光子微系统研究所、加州大学欧文分校和Technische Universität德累斯顿的研究人员撰写。“我们提出了一个用于HDC的多比特IMC系统，使用铁电场效应晶体管……»阅读更多

具有短路保留时间的非易失性ECRAM比先前显示的高几个数量级
通过技术文件链接- 2022年10月18日-评论:0

密歇根大学和桑迪亚国家实验室的研究人员发表了一篇题为“短路下的非易失性电化学随机存取存储器”的新技术论文。摘要电化学随机存取存储器(ECRAM)是近年来发展起来的一种极具发展前景的模拟电阻式存储器。ECRAM的一个长期挑战是实现…»阅读更多

无晶体管内存计算架构
通过技术文件链接- 2022年10月11日-评论:0

宾夕法尼亚大学、桑迪亚国家实验室和布鲁克海文国家实验室的研究人员最近发表了一篇题为“场可编程铁电二极管上的可重构内存计算”的新技术论文。内存计算的设计是不同的，因为它完全没有晶体管。“即使在内存计算架构中使用，晶体管也会影响访问……»阅读更多

内存设计如何优化系统性能
通过官约翰- 2022年9月21日-评论:0

数据的指数级增长以及对提高数据处理性能的需求催生了各种处理器设计和封装的新方法，但这也推动了内存方面的巨大变化。虽然底层技术看起来仍然非常熟悉，但真正的转变在于这些内存与系统中处理元素和各种组件的连接方式……»阅读更多

内存HTAP数据库的硬件/软件协同设计
通过技术文件链接- 2022年8月22日-评论:0

来自苏黎世联邦理工学院(ETH Zurich)、谷歌和伊利诺伊大学香槟分校(university of Illinois Urbana-Champaign)的一组研究人员最近发表了一篇题为“波利尼西亚:通过硬件/软件协同设计实现高性能和节能混合事务/分析数据库”的技术论文。抽象(部分)“我们提出了波利尼西亚，一个硬件-软件协同设计的内存HTAP系统(混合事务/分析…»阅读更多

技术论文综述:7月5日
通过琳达·克里斯坦森- 2022年7月5日-评论:0

新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=36 /]半导体工程正在建立这个研究论文库。请发送建议(通过下面的评论部分)，告诉我们你还想加入什么。如果你有想要推广的研究论文，我们会审查它们，看看它们是否适合……»阅读更多

“All-in-One”8×8低功耗和仿生加密引擎阵列，带有基于2D mem晶体管的IoT边缘传感器
通过技术文件链接- 2022年7月1日-评论:0

宾夕法尼亚州立大学的研究人员发表了一篇题为“基于二维mem晶体管的近传感器安全的一体化、仿生和低功耗加密引擎”的新技术论文。摘要:“在物联网(IoT)的新兴时代，无处不在的传感器不断收集、消费、存储和通信大量的信息，这些信息变得越来越脆弱。»阅读更多

OTA片上计算，克服有线NoC架构的瓶颈
通过技术文件链接- 2022年6月21日-评论:0

来自瑞士苏黎世IBM研究院和西班牙巴塞罗那加泰罗尼亚理工大学的研究人员发表了一篇名为“用于可扩展内存超维计算的无线片上通信”的新研究论文。摘要:“超维计算(HDC)是一种新兴的计算范式，它使用非常长的随机向量(aka hyp…»阅读更多

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