一篇题为“HfO中界面层工程和READ-Voltage优化的协同方法”的新技术论文2基于fefet的内存计算应用”由Fraunhofer IPMS, GlobalFoundries和TU Bergakademie Freiberg的研究人员发表。
抽象(部分)
本文报道了一种基于氧化铪(HfO2)铁电场效应晶体管(FeFET)，采用界面层的协同方法(伊尔)工程和读电压优化。FeFET器件与二氧化硅(SiO2)和氧化氮化硅(SiON)作为伊尔进行了制备和表征。虽然FeFETs与SiO2与带SiON接口的fefet相比，接口表现出更好的低频特性，后者表现出更好的写耐力和保留。最后，进行了神经形态模拟，以评估SiO fefet的性能2和锡安伊尔作为突触装置。”
找到开放获取这里是技术文件．2022年10月出版。
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