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标签:MRAM

MTJ-based电路提供了低成本、节能解决方案未来SC算法的硬件实现
通过技术论文链接12月- 30,2022 -评论:0

回顾篇题为“审查磁隧道结的随机计算”是由明尼苏达双城大学研究人员出版。资助机构包括半导体研究公司(SRC) CAPSL, NIST, DARPA等等。文摘:“现代计算方案需要大型电路领域和大型能源消耗为神经形态计算应用程序,比如……»阅读更多

高性能记忆:小说横向双磁隧道结(MTJ)和正交偏振器
通过技术论文链接11月17日,2022 -评论:0

一个新的技术论文题为“横向双磁隧道结装置与正交偏振器高性能磁阻的记忆”是汉阳大学的研究人员发表的。发现这里的技术论文。2022年11月出版。罪,S。,哦,美国横向双磁隧道结装置与正交偏振器高性能磁阻的记忆....»阅读更多

Edge-AI硬件扩展现实
通过技术论文链接7月- 20,2022 -评论:0

新技术论文题为“Memory-Oriented设计空间探索Edge-AI硬件XR应用“从新德里印度科技学院的研究人员和现实实验室研究、元。抽象的“低功耗Edge-AI能力是必不可少的设备内置扩展现实(XR)应用程序支持Metaverse的愿景。在这项工作中,我们研究两个代表XR w……»阅读更多

3新兴技术:记忆电阻器、自旋电子学和二维材料
通过技术论文链接- 06年7月,2022 -评论:0

新技术论文题为“记忆性、自旋电子和2 d-materials-based设备改进和补充计算硬件”来自伦敦大学学院的研究人员和剑桥大学。抽象”在数据驱动的经济中,几乎所有的行业受益于信息technology-powerful计算系统的进步至关重要的快速技术公关……»阅读更多

为CNN SOT-MRAM-based CIM架构模型
通过技术论文链接2022年5月- 09年-评论:0

新的研究论文为卷积神经网络“内存计算架构基于自旋轨道转矩MRAM”,国立台湾大学,大学,钟元基督教大学。抽象的“最近,大量研究调查计算内存(CIM)体系结构神经网络克服内存瓶颈。因为它的低延迟、高energ……»阅读更多

CXL和OMI:竞争或补充吗?
通过布来安梅奥- - - 3月23日,2022 -评论:1

系统设计师正在寻找任何想法他们能找到提高内存带宽和容量,重点从提高内存的新类型的内存。但高层建筑的变化可以帮助满足这两个需求,甚至脱离cpu内存类型。两个新协议有助于使这一切成为可能,CXL和尾身茂。但有一个迫在眉睫的问题…»阅读更多

横梁的磁阻的内存设备内存计算
通过技术论文链接1月- 14,2022 -评论:0

三星展示了世界上第一个基于MRAM内存计算技术。三星自然在这个问题上的一篇论文。本文展示了三星的努力合并内存和系统为新一代人工智能(AI)半导体芯片。文摘”实现借的人工神经网络模拟技术可以提供low-po……»阅读更多

SOT-MRAM挑战SRAM
通过布来安梅奥1月- 13,2022 -评论:1

时代新型非易失性存储器(NVM)技术,另一个变化将加入竞争- MRAM的新版本称为在手性力矩,或SOT-MRAM。这个一个特别有趣的是,有一天它可以取代SRAM阵列在systems-on-chip (soc)和其他集成电路。SOT-MRAM技术的关键优势是公关……»阅读更多

前景:DRAM、NAND下一代记忆
通过马克LaPedus——11月18日,2021 -评论:0

客观分析主管吉姆•方便坐下来和半导体工程讨论3 d NAND DRAM和下一代存储市场。以下是摘录的讨论。SE:你会如何描述NAND闪存市场2021年到目前为止?方便:在2021年所有的芯片都看到不同寻常的力量,但NAND闪存和DRAM做他们通常做的事情表现出更多e…»阅读更多

更多的错误,修正在记忆
通过布来安梅奥- 09年11月,2021 -评论:1

任何类型的记忆一些细胞变小,误比特率增加由于低利润率和过程变化。这可以使用纠错处理占并纠正一些错误,但更复杂的纠错码(ECC),它需要更多的硅区域,进而推高了成本。鉴于这一趋势,成本的迫在眉睫的问题是……»阅读更多

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