技术论文

基于薄膜电阻转换存储器设计的非晶氧化铪(剑桥和其他人)

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技术论文题为“非晶态氧化铪薄膜设计纳米复合材料使强大的界面电阻切换一致性”是由剑桥大学的研究人员发表林雪平大学,普渡大学,伦敦大学学院,洛斯阿拉莫斯国家实验室,布法罗大学。

文摘:

”设计的概念,提出了分离的非晶纳米复合材料薄膜,实现界面电阻开关(RS)铪氧化物设备。形成的电影将7%的平均英航纳入氧化铪在脉冲激光淀积温度≤400°C。附加Ba阻止电影结晶并导致∼20-nm-thin电影组成的一个非晶态高频振荡器x主机矩阵穿插∼2-nm-wide,∼5-to-10-nm-pitch Ba-rich无定形nanocolumns穿透大约三分之二通过电影。这限制了RS界面Schottky-like能量势垒的大小是一个外加电场下离子迁移。导致设备实现稳定cycle-to-cycle、设备间和样本测量开关耐力的再现性≥104周期为一个内存窗≥10在±2 V开关电压。每个设备可以设置多个中间电阻状态,使突触spike-timing-dependent可塑性。提出了概念解锁额外的设计变量为RS设备。”

找到这里的技术论文。发表:2023年6月。

Hellenbrand,马库斯,Babak Bakhit弘益窦,明肖,梅根·o·希尔,Zhuotong太阳,Adnan Mehonic et al。”非晶氧化铪薄膜设计纳米复合材料使强大的界面电阻切换一致性。“科学进步9,没有。25 (2023):eadg1946。



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