标签:电阻性记忆

基于薄膜电阻转换存储器设计的非晶氧化铪(剑桥和其他人)
通过技术论文链接- 6月28日,2023 -评论:0

技术论文题为“非晶态氧化铪薄膜设计纳米复合材料使强大的界面电阻切换一致性”是由剑桥大学的研究人员发表林雪平大学,普渡大学,伦敦大学学院,洛斯阿拉莫斯国家实验室,布法罗大学。文摘:“设计分离的非晶纳米的概念…»阅读更多

使用顺序渗透合成纳米多孔介质电阻记忆
通过技术论文链接- 06年10月,2021 -评论:0

抽象的“抵抗切换metal-insulator-metal结构近年来被广泛研究使用作为突触神经形态计算元素和非易失性内存元素。,然而,开关电源要求高,设备可变性和相当大的权衡低操作电压,高开/关比率,和低泄漏他们的效用有限…»阅读更多

通过机器学习建模电导resistive-switching记忆
通过技术论文链接- 04年10月,2021 -评论:0

2021年7月13日,发表在AIP的进步。阅读论文全文(开放)。摘要传统physical-based模型通常被用于模型的resistive-switching行为resistive-switching内存(RSM)。最近,vacancy-based conduction-filament (CF)增长模型用来模拟设备的特点广泛的RSM设备。然而,很少有集中啊……»阅读更多

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