文摘
“抵抗切换metal-insulator-metal结构近年来被广泛研究使用作为突触神经形态计算元素和非易失性内存元素。,然而,开关电源要求高,设备可变性和相当大的权衡低操作电压,高开/关比率,和低泄漏他们的效用有限。在这项工作中,我们解决这些问题通过展示使用ultraporous电介质作为高性能电阻存储设备的途径。使用修改后的原子层沉积称为顺序渗透合成的技术为基础,开发最初改善聚合物性能增强的耐腐蚀等电子束抗拒和创建电影的过滤和亲油的应用,我们能够创建∼15 nm厚ultraporous氧化物电介质(孔隙大小∼5海里)高达73%孔隙度作为灯丝的媒介的形成。我们展示,使用Ag /氧化铝系统,ultraporous电影导致超高开/关比率(> 109)超低电压切换(∼±600 mV) 10×小于的大部分情况。此外,设备演示快速交换,脉冲耐力100万周期。和高温(125°C)保留到104年代,使这种方法高度承诺大规模神经形态和内存的应用程序。此外,这种合成方法提供了一个兼容的,便宜的路线,一是可伸缩的,兼容现有半导体纳米加工方法和材料。”
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Bhaswar Chakrabarti *,亨利·陈汗阿拉姆,Aditya Koneru,托马斯·e .计列奥尼达e . Ocola Ralu吸烟室,丹尼尔•Rosenmann阿布Khanna本杰明Grisafe,托比•桑德斯Suman达塔,Ilke亚斯兰,萨勃拉曼尼亚k . r . s . Sankaranarayan和Supratik古哈。
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