技术论文题为“肖特基势垒MOSFET启用超低功率实时神经元神经形态计算”研究人员发表的印度理工学院(IIT)孟买。
文摘:
“节能实时突触和神经细胞,使大规模神经形态计算至关重要。在本文中,我们提出并演示肖特基势垒MOSFET-based超低功率压控电流源,使实时神经元神经形态计算。肖特基势垒MOSFET是组装在一个绝缘体平台以多晶硅为通道和镍/铂作为源/漏。文章和镍使背靠背肖特基结使超低对当前节能所需神经元。”
找到这里的技术论文。发表:2023年4月(预印本)
帕蒂尔、Shubham Jayatika Sakhuja Ajay Kumar辛格Anmol Biswas Vivek萨拉斯瓦特Sandeep Kumar Sandip Lashkare,和Udayan Ganguly。“肖特基势垒MOSFET启用超低功率实时神经元神经形态计算。”arXiv预印本arXiv: 2304.08504(2023)。
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