标签:场效应晶体管

离散电源产品的生产测试
通过Vineet Pancholi- 2022年10月20日-评论:0

金属氧化物硅场效应晶体管(mosfet)、绝缘栅双极晶体管(igbt)、双极结晶体管(BJTs)、二极管和特定应用的多晶体管封装模块是一些比较受欢迎的离散产品。开关控制电路中的电流。mosfet是大多数电子器件的组成部分。»阅读更多

功能工程MXene晶体管
通过技术文件链接- 2022年9月28日-评论:0

印度科学研究所(IISc)班加罗尔的研究人员发表了一篇题为“具有低阻接触的功能工程MXene晶体管的高通量设计”的新技术论文。摘要(部分):“基于二维材料的晶体管正在被广泛研究CMOS(互补金属氧化物半导体)技术的扩展;然而,下来……»阅读更多

涨落源对GAA Si NS mosfet电特性的模拟
通过技术文件链接- 2022年9月7日-评论:0

台湾国立阳明交通大学的研究人员发表了一篇题为“一种机器学习方法来模拟栅极全能硅纳米片mosfet的内在参数波动”的技术论文。“这项研究全面分析了基于ann的ML策略在模拟波动源对GAA Si NS MOSF电特性影响方面的潜力……»阅读更多

基于四参数模型的低压CMOS电路设计与仿真
通过技术文件链接- 2022年6月20日-评论:0

巴西圣卡塔琳娜联邦大学的研究人员发表了题为“弥合低压CMOS电路设计和模拟之间的差距”的新技术论文。“这项工作提出了一个真正紧凑的MOSFET模型，仅包含四个参数，以协助集成电路(IC)设计师手工设计。四参数模型(4PM)是在先进的网络模型的基础上提出的。»阅读更多

量子计算机与CMOS半导体:回顾与未来预测
通过迈克尔Hargrove- 2022年6月16日-评论:0

随着量子计算的出现，对外围容错逻辑控制电路的需求达到了新的高度。在经典计算中，信息的单位是“1”或“0”。在量子计算机中，信息的单位是一个量子比特，它可以被描述为“0”、“1”或这两个值的叠加(称为“叠加态”)。控制c…»阅读更多

电力电子用硅、碳化硅和氮化镓概述
通过技术文件链接- 2022年5月20日-意见:0

新的开放获取研究论文“基于Si、SiC和Ga-N的功率器件和半导体材料的回顾和评估”，主要来自印度的各个机构。摘要:无论是在实际实验中，还是在研究领域中，半导体设备对世界的扭曲都是毫无保留的。研究人员将介绍半导体的生产过程。»阅读更多

电力、电动汽车市场需要GaN集成电路
通过凯瑟琳德比郡- 2022年3月17日-意见:0

使用分立GaN元件构建的电路可能可以完成这项工作，但完全集成的GaN电路仍然是最终目标，因为它们将提供许多与集成硅电路相同的优势。这些优点包括随着电路占地面积的扩大而降低成本，并通过较短的互连运行降低寄生电阻和电容。此外，提高了器件性能。»阅读更多

中高功率宽带隙半导体开关器件驱动电路综述
通过技术文件链接- 2022年2月4日-评论:0

摘要:“宽带隙(WBG)基于材料的开关器件，如氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs)和碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)被认为是替代传统硅(Si) mosfet的非常有前途的候选器件，用于各种先进的功率转换应用，主要是因为它们的性能比…»阅读更多

安全可靠的MOSFET工作在双向电源开关(BDPS)应用
通过英飞凌- 2022年1月5日-意见:0

电池驱动应用的全球市场正在迅速增长，包括电动工具、服务机器人、轻型电动汽车等。开关模式电源(SMPS)拓扑结构的发展使设计人员能够通过同一终端使用双向转换器确保设备电池的安全充电和放电。然而，为了满足安全要求…»阅读更多

功率转换系统的革命- CoolSiC MOSFET
通过英飞凌- 2021年6月9日-评论:0

碳化硅(SiC)晶体管越来越多地用于功率转换器，对尺寸、重量和/或效率提出了很高的要求。SiC优异的材料性能使快速开关单极器件的设计成为可能，而不是双极IGBT器件。因此，迄今为止仅在低压世界(< 600 V)中可能实现的解决方案现在可以在更高的电压下实现……»阅读更多

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