新的和已建立的电力技术的测试步骤和参数。
文/ Vineet Pancholi, Dennis Dinawanao
金属氧化物硅场效应晶体管(mosfet)、绝缘栅双极晶体管(igbt)、双极结晶体管(bjt)、二极管和特定应用的多晶体管封装模块是一些比较受欢迎的离散产品。开关控制电路中的电流。mosfet是大多数电子设备的组成部分。电池供电设备的数量急剧增加。电脑,智能手机，可穿戴设备汽车内燃机向电池驱动发动机的转变，导致了离散动力产品的增加。
图1:Si, SiC和GaN。
传统的电力设备建筑材料是硅(硅)。SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)由于具有更高的带隙、功率、开关频率以及更小的尺寸和更低的开关和导通损耗，已经渗透成为电源离散产品的建筑材料。基于Si到SiC/GaN的制造技术在过去的15年里不断发展。idm有数千种这些产品的变体。所有设备数据表规格，静态和瞬态属性必须在交付给最终客户之前在生产中进行测试。有十几家测试设备制造商。的测试设备包括ATE(自动测试设备)，设备探针，处理器和测试硬件。典型的ate包括满足一系列电压和电流的源和测量仪器，以测试完整的生产测试列表。
下面的表格，是一些Amkor的流行的权力离散包。关于这些软件包的其他数据和详细信息可在Amkor 's上找到网站．
典型的IC生产测试流程如下图2所示。
图2:典型IC生产测试流程。
对于功率分立产品，晶圆探头、老化测试和系统级测试插入测试步骤在成熟的制造技术中不太受欢迎。由于一些基于SiC和GaN的技术可能较新，客户倾向于包括生产资格和燃烧测试。系统级测试可能不需要，因为生产测试列表包括所有相关属性的排水和传输特性的参数测试。
(一)
(B)
图3:NTMFS4C06N的排水(A)和传输(B)特性示例(onsemi) MOSFET。
典型直流测试参数包含在客户的测试列表中GSS-门对源漏电流，IDSS-漏至源漏电流，VGS(th) -栅至源阈值电压，RDS(on) -在on状态下漏至源电阻，GM -反式电导增益，BVDSS -击穿漏至源电压。
典型的交流测试参数包含在客户的测试列表中，包括:Cg门电容，Rg (ESR)门电阻，电阻开关(Tdon/off, Trise/fall)，无钳位感应开关(UIS w/VDs和IDs测量)，Qg门电荷感应开关，二极管反向恢复(Trr)感应开关。
电源产品汽车应用程序要求在苛刻的环境中稳定运行，如宽的温度和电压范围运行。Amkor生产测试工厂拥有数十年的电力部件测试经验，并随时准备应对未来的生产测试要求。对于SiC和GaN产品中更高的电压和电流以及更快的开关速度，Amkor正与自动化测试设备(ATE)供应商密切合作，开发和部署具有更新仪器的新测试平台，以满足更广泛的操作范围。
Dennis Dinawanao是菲律宾Amkor科技公司的测试经理。
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