近日，国立阳明交通大学的研究人员发表了一篇题为“高带宽内存应用三维集成中垂直连接的应力问题”的技术论文。
文摘:
研究了不同尺寸TSV在退火条件下的应力。由于TSV和粘接技术的应用在HBM堆叠中显示了一种有前途的垂直连接方法，因此需要仔细研究Cu TSV衬底引起的应力。在相同TSV纵横比下，TSV尺寸的变化对周围应力影响不明显。另一方面，TSV纵横比的调整会产生不同的应力值，其中1:8的纵横比导致分析中应力最大。退火温度对应力的影响大于TSV尺寸。因此，降低退火温度是实现HBM堆中TSV低应力的有效方法。因此，本文还对几种低温杂化键合方法进行了综述和讨论。
找到这里是技术文件．2023年1月出版。
洪子恒，潘玉明，陈宽能。“高带宽内存应用中3D集成垂直连接的压力问题。”存储器-材料，器件，电路和系统(2023):100024。开放访问。
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