由北京大学-香港科技大学深港研究所和北京大学深圳研究所的研究人员撰写的一篇题为“负电容栅极全场效应晶体管的最新进展:综述”的新技术论文。
该论文指出:“负电容门全场效应晶体管(NC GAA-FET)的新型器件结构可以结合GAA-FET和NC- fet的优点，是最有前途的超低功耗器件，并有望进一步维持摩尔定律，超出目前的预测。”
找到开放获取这里是技术文件．2023年2月出版。
L. Qin等，“负电容栅极全能场效应晶体管的最新进展:综述”，在IEEE Access, vol. 11, pp. 14028-14042, 2023, doi: 10.1109/ Access .2023.3243697。
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