标签:负电容

评论:负电容GAA-FET
通过技术论文链接2023年2月- 20(-评论:0

最近的一个新的技术论文题为“负电容Gate-All-Around场效应晶体管的发展:回顾”的研究员PKU-HKUST Shenzhen-Hong香港机构和北京大学深圳研究院。“负电容的新型器件结构门周围的场效应晶体管的优点(数控GAA-FET)可以结合GAA-FET NC-FET,和…»阅读更多

Antiferroelectric负电容从氧化锆的结构相变
通过技术论文链接4月- 12,2022 -评论:0

新研究论文由24人组成的研究团队从伯克利,佐治亚理工学院、麻省理工学院,和其他机构。抽象的“水晶材料破碎的镜面对称可以表现出自发电极化,这源于微观电偶极矩。远程极地或anti-polar订单的永久偶极产生铁电性或antiferroelectrici…»阅读更多

生长在铁电设备感兴趣
通过凯瑟琳德比郡- 12月27日,2018 -评论:0

铁电场效应晶体管和记忆开始显示承诺研究人员开始开发和测试新一代晶体管。效率的一个测量晶体管的阈下摇摆,这是栅电压的变化需要增加一个数量级的漏极电流。以每十年单位毫伏,在传统mosfet k是有限的……»阅读更多

电力/性能:12月23日
通过安Mutschler- 12月23日,2014 -评论:0

看见通路的阳光电据俄勒冈大学和隆德大学的研究人员,四个脉冲激光纳米光电电池在俄勒冈大学光谱学实验中开启了一扇窗。如何捕获阳光能转化为电能。研究人员的工作,期望可以激发设备提高效率在太阳能e……»阅读更多

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