标签:阈下的秋千

评论:负电容GAA-FET
通过技术论文链接2023年2月- 20(-评论:0

最近的一个新的技术论文题为“负电容Gate-All-Around场效应晶体管的发展:回顾”的研究员PKU-HKUST Shenzhen-Hong香港机构和北京大学深圳研究院。“负电容的新型器件结构门周围的场效应晶体管的优点(数控GAA-FET)可以结合GAA-FET NC-FET,和…»阅读更多

铁电体:负电容的梦想
通过凯瑟琳德比郡12月- 15,2022 -评论:0

铁电体越来越严重的复审,随着芯片制造商寻找新选项保持驱动电流。铁电材料可以提供非易失性内存,提供一个重要的功能的DRAM和闪存之间的差距。事实上,铁电体的内存和2 d通道晶体管是两个突出最近的IEEE会议电子设备。Ferroelectri……»阅读更多

报告和基准测试过程的二维半导体场效应晶体管
通过技术论文链接——7月29日,2022 -评论:0

新的研究论文题为“如何报告和基准新兴场效应晶体管”从NIST的研究人员发表,普渡大学、加州大学洛杉矶分校,泰斯的研究,北京大学,纽约大学,Imec,亚琛工业等等。“新兴低维纳米材料研究了几十年来在设备应用场效应晶体管(fet)。然而,正确地报告和大连……»阅读更多

生长在铁电设备感兴趣
通过凯瑟琳德比郡- 12月27日,2018 -评论:0

铁电场效应晶体管和记忆开始显示承诺研究人员开始开发和测试新一代晶体管。效率的一个测量晶体管的阈下摇摆,这是栅电压的变化需要增加一个数量级的漏极电流。以每十年单位毫伏,在传统mosfet k是有限的……»阅读更多

TFETs削减的亚阈值摆
通过凯瑟琳德比郡3月- 16,2017 -评论:0

的一个主要障碍继续晶体管扩展是功耗。门的长度减少,亚阈值摆(SS)所需的栅电压变化的漏极电流-增加一个数量级。张秦、魏赵,圣母大学的Alan Seabaugh解释2006年,学生面临着理论在室温下至少60 mV /十年在传统莫…»阅读更多

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