来自NIST、普渡大学、加州大学洛杉矶分校、Theiss research、北京大学、纽约大学、Imec、亚琛工业大学等的研究人员发表了题为“如何报告和基准新兴场效应晶体管”的新研究论文。
“新兴的低维纳米材料作为场效应晶体管(fet)的器件应用已经研究了几十年。然而，由于多个设备参数的涉及和相互关联，正确地报告和比较设备性能一直具有挑战性。更重要的是，这个研究团体的跨学科性导致了缺乏一致的报告和基准指南。在这里，我们报告作者之间关于报告和基准化重要FET参数和性能指标的指导方针的共识。我们提供了一个二维(2D)半导体场效应晶体管的报告和基准测试过程的例子。我们的共识将有助于促进评估新兴fet器件性能的改进方法，从而帮助该领域取得更一致和更有意义的进展。”
找到这里是技术文件．最后修订于2022年7月。
arXiv：2203.16759 v3。作者:程志辉，庞金生，王培琪，Son T. Le，吴延庆，Davood Shahrjerdi, Iuliana Radu, Max C. Lemme，彭连懋，段翔峰，陈志宏，Joerg Appenzeller, Steven J. Koester, Eric Pop, Aaron D. Franklin, Curt A. Richter。
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