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二维半导体材料向制造业发展


随着晶体管的缩小,它们需要更薄的通道来实现足够的通道控制。然而,在硅中,表面粗糙度散射降低了迁移率,将最终通道厚度限制在3nm左右。二维过渡金属二卤属化合物(TMDs),如MoS2和WSe2,之所以具有吸引力,部分原因是它们避免了这种限制。没有飞机外的悬空债券和在…»阅读更多

铁电记忆:中间地带


本系列的第一篇文章考虑了使用铁电体来改善逻辑晶体管的亚阈值摆动行为。铁电体在逻辑应用中的前景尚不确定,但铁电存储器具有明显的优势。两种最常见的商业记忆位于光谱的两端。DRAM速度很快,但需要恒定的功率来维持其信息…»阅读更多

铁电体:负电容的梦想


随着芯片制造商寻找维持驱动电流的新方法,铁电体正受到认真的重新审视。铁电材料可以提供非易失性存储器,在DRAM和闪存之间提供重要的功能间隙。事实上,用于存储器的铁电体和用于晶体管的2D通道是最近IEEE电子设备会议的两个亮点。Ferroelectri……»阅读更多

周回顾:设计,低功耗


工具和IP瑞萨推出了一款新的微处理器,使人工智能能够处理来自多个摄像头的图像数据。瑞萨公司企业基础设施事业部副总裁Shigeki Kato表示:“对于想要实现机器学习的嵌入式系统开发人员来说,挑战之一是要跟上不断发展的最新AI模型。”�…»阅读更多

技术论文综述:8月8日


新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=44 /]半导体工程正在建立这个研究论文库。请发送建议(通过下面的评论部分),告诉我们你还想加入什么。如果你有想要推广的研究论文,我们会审查它们,看看它们是否适合……»阅读更多

一个二维半导体场效应晶体管的报告和基准测试过程


来自NIST、普渡大学、加州大学洛杉矶分校、Theiss research、北京大学、纽约大学、Imec、亚琛工业大学等的研究人员发表了题为“如何报告和基准新兴场效应晶体管”的新研究论文。“新兴的低维纳米材料作为场效应晶体管(fet)的器件应用已经研究了几十年。然而,正确的报告和比较…»阅读更多

用于光数据传输的两个芯片级光子系统&微波光子学


北京大学、UCSB和彭城实验室的新研究论文“微梳驱动的硅光子系统”。“微梳在过去十年中引发了应用的激增,从光通信到计量。尽管部署方式多样,但大多数基于微梳的系统都依赖于大量笨重的元件和设备来满足其需求。»阅读更多

技术论文综述:4月19日


新的技术论文包括选择性蚀刻、ISO 26262试验台、硬件加速器、RISC-V、激光雷达、EUV掩模检测、故障攻击、边缘计算、氧化镓和用于VLSI cad片上电网设计的机器学习。尖端研究现在是全球性的努力。它从美国空军延伸到麻省理工学院等学校,以及意大利、西班牙、葡萄牙、印度、丹麦等国的大学。»阅读更多

实时边缘计算嵌入式微处理器扩展设计与优化


摘要:随着5G通信技术的发展,越来越多的应用可以集成到一个系统中。边缘计算系统和混合临界系统可以集成不同临界级别的任务,在隔离和性能上实现更好的平衡。这些优点使其逐渐成为边缘计算和实时系统的研究热点。»阅读更多

硅热光开关与石墨烯加热器工作在中红外波段


摘要中红外(MIR, 2-20 μm)波段是集成光子学在片上光谱化学传感和光通信等许多应用领域的重要应用。热光开关是MIR波段大规模集成光子电路的重要组成部分。然而,目前的技术需要较厚的熔覆层,较高的驱动电压或可能引入高电压。»阅读更多

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